P60v MOS管,60V PMOS管,TO-252低压MOS管场效应管-KIA MOS管
P60v MOS管,60V PMOS管-KPX8106A参数引脚图
RDS(ON)=26mΩ (typ.) @ VGS=-10V
漏极电流 (ID) ：-30A
漏源击穿电压 (VDS(ON)) ：-60V
功耗 (PDM) ：57W
栅极电荷（Qg）：40 nC
KPX8106A参数规格书
P60v MOS管,60V PMOS管-KPX3606A参数资料
RDS(ON)=11.6mΩ (typ.) @ VGS=-10V
漏极电流 (ID) ：-60A
漏源击穿电压 (VDS(ON)) ：-60V
功耗 (PDM) ：90W
栅极电荷（Qg）：86 nC
封装形式：TO-252
KPX3606A参数规格书
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