40v pmos管,P40v MOS管,场效应管TO-252/DFN5X6-KIA MOS管
40v pmos管,P40v MOS管,KPX3204B参数引脚图
KPX3204B是一款优质高效的低压P沟道MOS管，先进的高单元密度沟槽，提供出色的RDS（导通）和超低栅极电荷、100%EAS保证、绿色设备可用、出色的CdV/dt效应下降。
RDS(ON)=3.2mΩ (typ.) @ VGS=-10V
漏极电流 (ID) ：-100A
漏源击穿电压 (VDS(ON)) ：-40V
栅极电荷（Qg）：115 nC
功耗 (PDM) ：83W
40v pmos管,P40v MOS管,KPX3404A参数引脚图
漏极电流 (ID) ：-85A
漏源击穿电压 (VDS(ON)) ：-40V
栅极电荷（Qg）：115 nC
功耗 (PDM) ：58W
RDS（ON）=5mΩ（典型值）@VGS=-10V
40v pmos管,P40v MOS管,KPX3404A特性：超低栅极电荷、100%EAS保证、绿色设备可用、出色的CdV/dt效应下降、先进的高单元密度沟槽。
KIA半导体MOS管具备强大的核心竞争力，是开关电源生产厂家的优质选择。KIA半导体MOS管厂家主要研发、生产、经营：场效应管（MOS管）、COOL MOS（超结场效应管）、三端稳压管、快恢复二极管；广泛应用于逆变器、锂电池保护板、电动车控制器、HID车灯、LED灯、无刷电机、矿机电源、工业电源、适配器、3D打印机等领域；可申请免费送样以及报价、技术支持服务。
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