40n06场效应管参数,40n06参数,KIA40N06中文资料-KIA MOS管
40n06场效应管参数,KIA40N06
KIA40N06B是性能最高的沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSO和栅极电荷。KIA40N06B符合RoHS和GreeProduct的要求，100%EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。
KIA40N06B场效应管采用先进的高细胞密度沟槽技术，具备出色的性能，漏源击穿电压60V，漏极电流38A，在VDS为60V时，RDS（开启）仅为14m?，表现出卓越的导通能力、超低的栅极电荷，在Cdv/dt效应下降方面表现出色、100%的EAS保证，在各种工作条件下都能稳定可靠、GreeDevice技术的引入，进一步提升了性能，适用于各类应用场景。
KIA40N06B场效应管适用于MB/NB/UMPC/VGA高频点负载同步降压变换器以及联网DC-DC电源系统、LCD/LED背光等设备，为电子产品提供可靠稳定的电力支持，40n06场效应管高效的能量转换能力，能够发挥出良好的性能，为产品的性能提升和稳定性提供了强大的支持。KIA40N06B场效应管封装形式：TO-251、TO-252。
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漏源电压：60V
漏极电流：38A
漏源通态电阻(RDS(on))：14mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：80A
雪崩能量单脉冲：67MJ
总功耗：45W
输入电容：2423PF
输出电容：145PF
总栅极电荷：17.6nC
开通延迟时间：15.5nS
关断延迟时间：72.8nS
上升时间：2.2ns
下降时间：3.8ns
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