2920MOS管现货,2920场效应管参数引脚图,中文资料-KIA MOS管
2920MOS管,2920场效应管
KCX2920K场效应管是一款具有SGT MOSFET技术的优质器件，采用新型沟槽技术，漏源击穿电压200V，漏极电流130A，表现出色；RDS（ON）为9.8mΩ（典型值）@VGS=10V，在低栅极电荷情况下最小化开关损耗，快速恢复体二极管，能够在DC-DC转换器中发挥重要作用。
KCX2920K场效应管同样适用于高频开关和同步整流领域，能够有效降低能量损耗，提升转换效率；稳定可靠的特性，为提升能源利用效率、降低系统能耗提供了可靠保障。封装形式：TO-220、TO-263、TO-247，多种封装选择，方便安装使用。
2920MOS管,2920场效应管参数
漏源电压：200V
漏极电流：130A
漏源通态电阻(RDS(on))：9.8mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：440A
雪崩能量单脉冲：2000MJ
总功耗：333W
总栅极电荷：75nC
输入电容：6780PF
输出电容：390F
开通延迟时间：40nS
关断延迟时间：45nS
上升时间：15ns
下降时间：10ns
2920MOS管,2920场效应管规格书
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
