100n08参数代换,KNP2908B场效应管参数引脚图,中文资料-KIA MOS管
100n08参数代换,KNP2908B场效应管
KNP2908B采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压80V，漏极电流130A，提供优异的RDS（ON）=5.0mΩ（典型值）@VGS=10V，低栅极电荷，低RDS（ON）的高密度电池设计、完全表征雪崩电压和电流、稳定性和均匀性好，EAS高，非常适合应用于电源切换应用、硬开关和高频电路、不间断电源中；出色的封装：TO-220，散热良好。
100n08参数代换,KNP2908B场效应管参数
漏源电压：80V
漏极电流：130A
漏源通态电阻(RDS(on))：5mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：520A
雪崩能量单脉冲：900MJ
总功耗：245W
总栅极电荷：160nC
输入电容：7950PF
输出电容：460PF
开通延迟时间：24nS
关断延迟时间：75nS
上升时间：41ns
下降时间：25ns
100n08参数代换,KNP2908B场效应管规格书
KNP2908B场效应管能够代换110n8f5和100n08这两款型号来使用。110n8f5,100n08场效应管代换型号KNP2908B广泛应用于DC/DC电源、DC-AC逆变器、开关电源、UPS、BLDC电机驱动及锂电池保护板上。
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