电机驱动mos管,27A 800V TO264,KNK7880A参数引脚图-KIA MOS管
电机驱动mos管,KNK7880A参数引脚图
电机驱动mos管KNK7880A漏源击穿电压高达800V，漏极电流27A，RDS (on) = 280mΩ(typ)@VGS =10V，低栅极电荷最小化开关损耗；该器件采用先进平面工艺，高效率低损耗；坚固的多晶硅栅极结构，可靠稳定，适用于BLDC电机驱动器、电焊机、高效开关电源、电源分流器、电箱等产品。封装形式：TO-264。
电机驱动mos管,KNK7880A参数
漏源电压：800V
漏极电流：27A
漏源通态电阻(RDS(on))：280mΩ
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：108A
雪崩能量单脉冲：4200MJ
总功耗：650W
总栅极电荷：185nC
输入电容：7280PF
输出电容：660PF
开通延迟时间：56nS
关断延迟时间：82nS
上升时间：105ns
下降时间：96ns
电机驱动mos管,KNK7880A规格书
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
