STP14NF10场效应管代换,KIA6410A参数引脚图-KIA MOS管
STP14NF10,KIA6410A参数引脚图
KIA6410A场效应管采用沟槽DMOS技术，经过专门定制，漏源击穿电压100V、漏极电流15A，具有RDS（ON）=72 mΩ@VGS=10V的低导通电阻特性，能够显著降低导通电阻，提供出色的开关性能；还具备改进的dv/dt能力，确保快速切换的稳定性、以及100%的EAS保证、绿色设备符合环保要求；在雪崩和换向模式下能够承受高能脉冲，非常适用于高效快速切换的应用场景。KIA6410A可替代STP14NF10在Led应用程序，网络系统和负载开关中应用。KIA6410A封装形式：TO-220、TO-252、TO-251。
STP14NF10,KIA6410A场效应管参数
漏源电压：100V
栅源电压：±20V
漏电流连续：15A
脉冲漏极电流：60A
耗散功率：50W
热电阻：62℃/V
漏源击穿电压：100V
温度系数：0.05V/℃
栅极阈值电压：1.2V
输入电容：1480PF
输出电容：480PF
上升时间：9.5ns
STP14NF10,KIA6410A参数规格书
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