mbr20150参数代换,20A 150V场效应管,KIA7115A中文资料-KIA MOS管
20A 150V场效应管,KIA7115A参数引脚图
KIA7115A场效应管漏源击穿电压150V，漏极电流20A，RDS（开启）=77mΩ@VGS=10V，超低栅极电荷，降低开关损耗，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS和栅极电荷，出色的Cdv/dt效应下降、绿色设备可用，符合RoHs，100%EAS保证，稳定可靠，封装形式：TO-252、251，散热良好。
20A 150V场效应管,KIA7115A参数
漏源电压：150V
漏极电流：20A
漏源通态电阻：77mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：40A
雪崩能量单脉冲：53MJ
功率耗散：72.6W
总栅极电荷：25.1nC
输入电容：2285PF
输出电容：110PF
开通延迟时间：13nS
关断延迟时间：25nS
上升时间：8.2ns
下降时间：11ns
20A 150V场效应管,KIA7115A参数规格书
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