逆变器mos管,KIA6720N可代换IRF640参数,中文资料-KIA MOS管
逆变器mos管,KIA6720N参数引脚图
KIA6720N场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流18A，RDS（ON）=0.12Ω@VGS=10V；低导通电阻、低栅极电荷使开关损耗最小化，符合RoHS，峰值电流与脉冲宽度曲线，高效稳定，广泛应用于逆变器、CRT、电视/监视器等领域。KIA6720N可以代换IRF640场效应管使用，封装形式：TO-220。
逆变器mos管,KIA6720N参数
漏源电压：200V
栅源电压：±20A
漏电流连续：18A
脉冲漏极电流：72A
雪崩能量：1000mJ
耗散功率：156W
热电阻：62℃/V
漏源击穿电压：200V
栅极阈值电压：2V
输入电容：1256PF
输出电容：158PF
上升时间：33ns
逆变器mos管,KIA6720N参数规格书
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