逆变器mos管,500v15a,KNX6650A场效应管中文资料-KIA MOS管
500v15a,KNX6650A场效应管参数引脚图
KNX6650A场效应管采用专有平面新技术，漏源电压500V，漏极电流15A，为高压、高速功率开关应用而设计，RDS（ON）为0.33Ω；低栅电荷最小开关损耗、快速恢复体二极管，保证电源的稳定和可靠性；KNX6650A高压MOS管常用于逆变器，以及高效开关电源、有源功率因数校正、电子灯镇流器；封装形式：TO-220、TO-220F。
500v15a,KNX6650A场效应管参数
漏源电压：500V
漏极电流：15A
漏源通态电阻：0.33Ω
栅源电压：±30V
雪崩能量单脉冲：1000MJ
功率耗散：60W
总栅极电荷：46nC
输入电容：2148PF
输出电容：208PF
开通延迟时间：13nS
关断延迟时间：44nS
上升时间：28ns
下降时间：35ns
500v15a,KNX6650A场效应管规格书
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