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40N06现货供应商 KIA40N06 PDF文件下载 40N06参数资料-KIA官网

信息来源:本站 日期:2018-01-25 

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KIA40N06参数

kia40n06b最高性能的沟道MOSFET与极端高细胞密度,为大多数的同步降压转换器,优良的导通电阻和栅极电荷应用,kia40n06b符合ROHS环保和绿色产品的要求,保证100% EAS全功能可靠性认证。


特点:

RDS(on) =18mΩ @ VDS=60V

先进的高密度沟槽技术

超级Low Gate Charge

优良的CDV / dt效应递减

100% EAS保证

绿色的可用设备


应用:

MB /铌/VGA负载同步Buck变换器高频点

网络化DC-DC电源系统

液晶/ LED背光灯


产品型号:KIA40N06

工作方式:38A、60V

漏流电压:60V

栅源电压(连续):±20V

连续漏电流:38A

脉冲漏极电流:80A

雪崩能量:28A

热电阻:62℃/W

漏源击穿电压:60V

温度系数:0.057

栅极阈值电压:1.2V

输入电容:2423 PF

输出电容:145 PF

上升时间:2.2 ns

封装形式:TO-251、TO-252



KIA 40N06(38A 60V)
产品编号 KIA40N06BD/BU
FET极性 N沟道MOSFET
产品工艺 kia40n06b最高性能的沟道MOSFET与极端高细胞密度,为大多数的同步降压转换器,优良的导通电阻和栅极电荷应用,kia40n06b符合ROHS环保和绿色产品的要求,保证100% EAS全功能可靠性认证。
产品特征

RDS(on) =18mΩ @ VDS=60V

先进的高密度沟槽技术

超级Low Gate Charge

优良的CDV / dt效应递减

100% EAS保证

绿色的可用设备

适用范围

主要使用于MB /铌/VGA负载同步Buck变换器高频点

网络化DC-DC电源系统

液晶/ LED背光灯

装形式 TO-251、TO-252
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厂家 KIA 原厂家
网址 www.kiaic.com
PDF总页数 总5页

系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

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