| 工艺技术 | Proprietary New Planar Technology（专有新型平面工艺） |
| 导通电阻(RDS(ON)) | 典型值0.35Ω @ VGS=10V，最大值0.5Ω |
| 栅极电荷特性 | Low Gate Charge Minimize Switching Loss（低栅极电荷，降低开关损耗） |
| 体二极管特性 | Fast Recovery Body Diode（快恢复体二极管） |
| 镇流器与照明设备 | Ballast and Lighting |
| DC-AC逆变器 | DC-AC Inverter |
| 其他工业应用 | Other Applications |
KIA6140A（KNP6140A/KNF6140A）是一款高性能 10A/400V N沟道高压功率MOSFET，采用新型平面工艺制造，具备低导通电阻、低栅极电荷、快恢复体二极管、高雪崩能量等核心优势，专为高压照明、逆变器、工业电源、开关电源等设备设计。
产品有效解决高压系统发热高、开关损耗大、稳定性不足等痛点，工业级宽温工作，双封装适配不同设计需求，可直接替代国际/国内同规格竞品，是高压电源设备的高性价比优选方案。
1. 400V高耐压，10A连续电流，满足高压工业设备需求
2.超低导通电阻，典型值0.35Ω，最大仅0.5Ω，损耗更低
3. 低栅极电荷，开关速度快，显著提升系统转换效率
4.内置快恢复体二极管，抗冲击能力强，dv/dt性能优异
5. TO-220 / TO-220F 双封装可选，绝缘/非绝缘灵活适配
6. 高雪崩能量650mJ，可靠性远超行业标准
7. 工作温度-55℃~150℃，工业级稳定耐用
9.符合RoHS环保标准，绿色安全
| 品牌 | 竞品型号 | 规格匹配 | 封装 |
|---|---|---|---|
| 英飞凌 | SPA10N40 | 10A 400V N沟道 | TO-220/TO-220F |
| 意法半导体 | STP10NK40 | 10A 400V N沟道 | TO-220/TO-220F |
| 安森美 | NTNL10N40 | 10A 400V N沟道 | TO-220F |
| 威世 | SiHF10N40 | 10A 400V N沟道 | TO-220 |
| 东芝 | TK10A40 | 10A 400V N沟道 | TO-220F |
| 士兰微 | SVF10N40 | 10A 400V N沟道 | TO-220/TO-220F |
| 新洁能 | NCE10TD40 | 10A 400V N沟道 | TO-220F |
| 扬杰 | YJ10N40 | 10A 400V N沟道 | TO-220/TO-220F |
| 华微 | HM10N40 | 10A 400V N沟道 | TO-220F |
| 参数 | KIA6140A | 国际品牌竞品 | 国内品牌竞品 |
|---|---|---|---|
| 耐压 Vdss | 400V | 400V | 400V |
| 连续电流 Id | 10A | 10A | 10A |
| 导通电阻 | 0.35Ω(典型) | 0.4~0.6Ω | 0.45~0.65Ω |
| 栅极电荷 | 28nC | 30~38nC | 32~40nC |
| 雪崩能量 | 650mJ | 550~620mJ | 500~580mJ |
| 封装 | TO-220/TO-220F | TO-220/TO-220F | TO-220F |
| 优势 | 内阻更低、损耗更小、可靠性更高 | 价格昂贵、交期长 | 一致性一般、损耗偏高 |
| 完整型号 | 封装 | 适用场景 |
|---|---|---|
| KNP6140A | TO-220 | 大功率散热优先、工业电源、逆变器 |
| KNF6140A | TO-220F | 绝缘需求、照明设备、开关电源、通用工控 |
| 电子镇流器 & LED照明驱动 |
| DC-AC逆变器、不间断电源UPS |
| 高压开关电源、工业控制电源 |
| 大功率适配器、充电器 |
| 其他高压工业驱动设备 |
| 引脚号 | 功能定义 |
|---|---|
| 1 | Gate（栅极） |
| 2, 4 | Drain（漏极） |
| 3 | Source（源极） |
| 型号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNP6140A | TO-220 | KIA |
| KNF6140A | TO-220F | KIA |
| 参数 | 符号 | KNP6140A/TO-220 | KNF6140A/TO-220F | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 (VGS=0V) | VDSS | 400 | 400 | V |
| 栅源电压 | VGSS | ±30 | ±30 | V |
| 连续漏极电流 | ID | 10 (Tc=25℃) | 10 (Tc=25℃) | A |
| 见Figure3 (Tc=100℃) | 见Figure3 (Tc=100℃) | A | ||
| 脉冲漏极电流 (VGS=10V) | IDM | 见Figure6 | 见Figure6 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 650 | 650 | mJ |
| 二极管恢复峰值dv/dt | dv/dt | 5.0 | 5.0 | V/ns |
| 耗散功率 | PD | 140 | 45 | W |
| 25℃以上降额系数 | - | 1.12 | 0.37 | W/℃ |
| 焊接温度 | TL | 300 (引线1.6mm处10秒) | 300 (引线1.6mm处10秒) | ℃ |
| TPAK | 260 (封装体10秒) | 260 (封装体10秒) | ℃ | |
| 工作与存储温度范围 | TJ & TSTG | -55 ~ +150 | -55 ~ +150 | ℃ |
| 参数 | 符号 | KNP6140A/TO-220 | KNF6140A/TO-220F | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 结-壳热阻 | RθJC | 0.89 | 2.7 | ℃/W |
| 结-环境热阻 | RθJA | 62 | 100 | ℃/W |
| 参数类别 | 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 关断特性 | 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 400 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=400V/320V, VGS=0V; Tj=25℃/125℃ | - | - | 1/100 | μA | |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±30V, VDS=0V | - | - | +100/-100 | nA | |
| 导通特性 | 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=5A | - | 0.35 | 0.5 | Ω |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 2.0 | - | 4.0 | V | |
| 正向跨导 | gfs | VDS=20V, ID=10A | - | 12 | - | S | |
| 电容特性 | 输入电容 | Ciss | VGS=0V, VDS=25V, f=1.0MHz | - | 1254 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | - | 21 | - | pF | ||
| 输出电容 | Coss | - | 150 | - | pF | ||
| 栅极电荷特性 | 总栅极电荷 | Qg | VDD=200V, ID=10A, VGS=0 to 10V | - | 28 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 7.0 | - | nC | ||
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 11 | - | nC | ||
| 开关特性 | 开通延迟时间 | td(on) | VDD=200V, ID=10A, VGS=10V, RG=12Ω | - | 14 | - | ns |
| 上升时间 | trise | - | 25 | - | ns | ||
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 44 | - | ns | ||
| 下降时间 | tfall | - | 28 | - | ns | ||
| 体二极管特性 | 连续源极电流 | ISD | MOSFET内集成PN二极管 | - | - | 10 | A |
| 脉冲源极电流 | ISM | - | - | 40 | A | ||
| 二极管正向压降 | VSD | IS=10A, VGS=0V | - | - | 1.5 | V | |
| 反向恢复时间 | trr | VGS=0V, IF=10A, diF/dt=100A/μs | - | 303 | - | ns | |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | 1.8 | - | μC |
注：以上数据基于Tj=25℃条件，完整特性曲线、测试电路及波形请参考原厂数据手册。
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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