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KNH3730A TO-3P 50A/300V MOSFET 国产替代优选

信息来源:本站 日期:2026-05-19 

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KNH3730A TO-3P 50A/300V MOSFET 国产替代优选

解决进口交期慢、发热高,工业电源 / 逆变器专用

产品基础信息

项目 详情
产品型号 KNH3730A(3730A系列)
产品类型 N-Channel MOSFET(N沟道功率场效应管)
封装形式 TO-3P(直插式功率封装)
品牌 KIA(KMOS Semiconductor)
核心规格 50A/300V,Rds(on)=70mΩ(典型值)

 产品核心特性

特性项 说明
工艺技术 自研全新平面工艺(Planar Technology)
导通电阻 Rds(on)=70mΩ(典型值)@VGS=10V
开关损耗 低栅极电荷设计,降低开关损耗
体二极管 快恢复体二极管,抑制反向尖峰

产品基础信息

项目 详情
产品型号 KNH3730A
封装形式 TO-3P(直插功率封装)
产品类型 N沟道功率MOSFET
品牌 KIA(KMOS Semiconductor)
核心规格 50A/300V,Rds(on)≤88mΩ

? 核心特性

特性 说明
导通电阻 Rds(on)≤88mΩ@VGS=10V
雪崩能量 EAS=3044mJ(单脉冲)
体二极管 快恢复,抑制反向尖峰
工作温度 ?55℃~+150℃(宽温)
功耗 305W@25℃(高功率)

?? 典型应用场景

应用领域 说明
工业开关电源 大功率SMPS、电源模块
UPS逆变器 DC?AC逆变、不间断电源
电机驱动 工业电机、BLDC无刷电机
车载电源 DC?DC转换器、快充电源
国产替代 替代TK50J30D/IXFH50N30Q3

?? 绝对最大额定值

参数 符号 额定值 单位
漏源电压 VDSS 300 V
栅源电压 VGSS ±20 V
连续漏极电流 ID 50 A
脉冲漏极电流 IDM 200 A
功耗 PD 305 W
工作结温 TJ ?55~150

?? 电气特性参数

参数 符号 测试条件 典型值 单位
漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V,ID=250μA 300(Min) V
漏源漏电流 IDSS VDS=300V,VGS=0V ≤1 μA
导通电阻 RDS(ON) VGS=10V,ID=25A 70(Typ)
栅极阈值电压 VGS(TH) VDS=VGS,ID=250μA 2.0~4.0 V
输入电容 Ciss VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz 5108 pF
反向传输电容 Crss 同上 275 pF
输出电容 Coss 同上 500 pF
总栅极电荷 Qg VDD=150V,ID=25A 220 nC
反向恢复时间 trr IF=25A,di/dt=100A/μs 516 ns

热特性参数

参数 符号 典型值 单位
结?壳热阻 RθJC 0.41 ℃/W
结?环境热阻 RθJA 50 ℃/W

可平替代对照表

型号 品牌 封装 规格 替代关系
KNH3730A KIA TO?3P 50A/300V 国产优选
TK50J30D Toshiba TO?3P 50A/300V 直接替代
IXFH50N30Q3 IXYS TO?247AD 50A/300V 引脚兼容
IRFZ48N Infineon TO?247 50A/300V 参数接近

?? 典型应用场景

应用领域 说明
DC-DC转换器 工业级直流电源模块、车载DC-DC
UPS逆变器 不间断电源DC-AC逆变电路
SMPS电源 开关模式电源、大功率适配器
电机控制 工业电机驱动、BLDC无刷电机控制

?? 引脚定义说明(TO-3P封装)

引脚号 功能定义
1 Gate(栅极)
2 Drain(漏极)
3 Source(源极)

绝对最大额定值(Tc=25℃)

参数项 符号 额定值 单位
漏源电压 VDSS 300 V
栅源电压 VGSS ±20 V
连续漏极电流@25℃ ID 50 A
连续漏极电流@100℃ ID 31 A
脉冲漏极电流@VGS=10V IDM 200 A
单脉冲雪崩能量 EAS 3044 mJ
二极管恢复dv/dt dv/dt 5.0 V/ns
功耗@25℃ PD 305 W
功耗降额系数 - 2.5 W/℃
存储/工作结温 TJ,TSTG -55~150

热特性参数

参数项 符号 额定值 单位
结-壳热阻 RθJC 0.41 ℃/W
结-环境热阻 RθJA 50 ℃/W

电气特性参数(Tc=25℃)

参数项 符号 测试条件 典型值/范围 单位
漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V, ID=250uA 300(Min) V
漏源漏电流 IDSS VDS=300V, VGS=0V ≤1(Max) uA
栅源漏电流 IGSS VGS=±30V, VDS=0V ±100(Max) nA
导通电阻 RDS(ON) VGS=10V, ID=25A 70(Typ)/≤88(Max)
栅极阈值电压 VGS(TH) VDS=VGS, ID=250uA 2.0~4.0 V
正向跨导 gfs VDS=15V, ID=25A 18(Typ) S
输入电容 Ciss VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz 5108(Typ) pF
反向传输电容 Crss VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz 275(Typ) pF
输出电容 Coss VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz 500(Typ) pF
总栅极电荷 Qg VDD=150V, ID=25A, VGS=0~10V 220(Typ) nC
栅源电荷 Qgs 同上条件 16(Typ) nC
栅漏(米勒)电荷 Qgd 同上条件 128(Typ) nC
开通延迟时间 td(ON) VDD=150V, ID=25A, RG=1.2Ω 25(Typ) ns
上升时间 trise 同上条件 50(Typ) ns
关断延迟时间 td(OFF) 同上条件 100(Typ) ns
下降时间 tfall 同上条件 35(Typ) ns
连续源极电流 ISD 体二极管电流 50(Typ) A
脉冲源极电流 ISM 体二极管脉冲电流 200(Max) A
二极管正向压降 VSD IS=25A, VGS=0V ≤1.5(Max) V
反向恢复时间 trr VGS=0V, IF=25A, diF/dt=100A/μs 516(Typ) ns
反向恢复电荷 Qrr 同上条件 4.16(Typ) uC

 测试电路说明

测试项目 电路类型
开关特性测试 带负载电阻的开关测试电路
栅极电荷测试 带辅助电容的栅极电荷测试电路
雪崩特性测试 无钳位电感开关测试电路
二极管恢复测试 带电感负载的二极管恢复测试电路


联系方式:邹先生

座机:0755-83888366-8022

手机:18123972950(微信同号)

QQ:2880195519(技术群,也可以加这个qq)

联系地址:深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902

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