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7N80现货供应商 KIA7N80 7A/800V KIA7N80 PDF文件下载 -KIA 官网

信息来源:本站 日期:2018-01-30 

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KIA7N80参数

功率MOSFET采用SL半平面条形DMOS工艺生产的先进。这先进的技术已特别定制,以尽量减少对国家的阻力,提供优越的。


开关性能,并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。器件非常适合高效率开关模式电源,有源功率因数校正基于半桥拓扑


KIA7N80特征

RDS(on)=1.4Ω @ VGS=10V

低栅极电荷(典型的27nc)

高耐用性

快速切换

100%雪崩测试

改进的dt/dt能力


产品型号:KIA7N80

工作方式:7A/800V

漏源电压:800V

栅源电压:±30V

漏电流连续:7.0A

脉冲漏极电流:28A

雪崩能量:650mJ

耗散功率:167W

热电阻:62.5℃/W

漏源击穿电压:800V

温度系数:1V/℃

栅极阈值电压:3.0V

输入电容:1300 PF

输出电容:120 PF

上升时间:100 ns

封装形式:TO-220、TO-220F



KIA7N80(7A/800V
产品编号 KIA7N80/HF
FET极性 N沟道MOSFET
产品工艺

功率MOSFET采用SL半平面条形DMOS工艺生产的先进。这先进的技术已特别定制,以尽量减少对国家的阻力,提供优越的。开关性能,并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。

产品特征

RDS(on)=1.4Ω @ VGS=10V

低栅极电荷(典型的27nc)

高耐用性

快速切换

100%雪崩测试

改进的dt/dt能力

适用范围 主要适用于高效率开关模式电源,有源功率因数校正基于半桥拓扑
封装形式 TO-220、TO-220F
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厂家 KIA原厂家
网址 www.kiaic.com
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联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

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