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7N65现货供应商 KIA7N65 7A/650V KIA7N65 PDF文件下载-KIA 官网

信息来源:本站 日期:2018-01-31 

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KIA7N65参数

功率MOSFET是用起亚半先进的平面条形DMOS工艺生产。这种先进的技术特别适合于最小化状态电阻,提供优越性。开关性能,并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。非常适用于高效率开关电源,有源功率因数校正/基于半桥拓扑。


KIA7N65特征

RDS(on) =1.2@? VGS=10V

低栅极电荷(典型的29nc)

高耐用性

快速切换

100%雪崩测试

改进的dt/dt能力


产品型号:KIA7N65

工作方式:7A/650V

漏源电压:650V

栅源电压:±30V

漏电流连续:7.0A

脉冲漏极电流:28A

雪崩能量:230mJ

耗散功率:147W

热电阻:62.5℃/W

漏源击穿电压:650V

温度系数:0.7V/℃

栅极阈值电压:2.0V

输入电容:1000 PF

输出电容:110 PF

上升时间:50 ns

封装形式:TO-220、TO-220F、TO-263


KIA7N65(7A/650V
产品编号 KIA7N65/HB/HF
FET极性 N沟道MOSFET
产品工艺 功率MOSFET是用起亚半先进的平面条形DMOS工艺生产。这种先进的技术特别适合于最小化状态电阻,提供优越性。开关性能,并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。非常适用于高效率开关电源,有源功率因数校正/基于半桥拓扑。
产品特征

RDS(on) =1.2@? VGS=10V

低栅极电荷(典型的29nc)

高耐用性

快速切换

100%雪崩测试

改进的dt/dt能力

适用范围 主要适用于高效率开关电源,有源功率因数校正/基于半桥拓扑。
封装形式 TO-220、TO-220F、TO-263
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LOGO
厂家 KIA原厂家
网址 www.kiaic.com
PDF总页数 总5页

联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

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QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C座


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