KCD2408A TO‑263 MOS 管 80V190A 低内阻现货可拿样
信息来源：本站 日期：2026-07-10
KCD2408A TO?263 MOS 管 80V190A 低内阻现货可拿样
SGT 沟槽新工艺压低导通损耗，TO?263 大散热基底重载不易过热
KCD2408A、KCD2408A TO?263、KIA 2408A MOS 管、80V190A TO?263 N 沟道 MOSFET
| 品牌厂商 | KIA SEMICONDUCTORS |
|---|---|
| 产品系列代号 | 2408A N沟道功率MOSFET |
| 主推物料型号 | KCD2408A（TO-263贴片封装） |
| 同系列备选料号 | KCY2408A（DFN5*6小型封装） |
| 标称电气规格 | 耐压80V、连续通流可达190A |
| 文档版本&更新时间 | Rev1.0，2023年8月定稿 |
| 自研底层工艺 | SGT MOSFET+专属全新沟槽刻蚀技术 |
|---|---|
| DFN5*6导通内阻 | Rds(on)典型值2.0mΩ@栅压10V |
| TO?263导通内阻 | Rds(on)典型值3.1mΩ@栅压10V |
| 核心性能增益 | 开关响应迅捷，电源整机转化效率拔高 |
| 基础产品优势 | 导通电阻偏低，运行发热损耗大幅下降 |
| 快充电源赛道 | AC?DC快充适配器内部同步整流回路 |
|---|---|
| 锂电储能赛道 | 各类锂电池组配套BMS电池管理系统 |
| 算力供电赛道 | 通信基站、服务器大功率供电模组 |
| 拓展可适配场景 | 车载电源、大功率DC?DC降压电路 |
| 自媒体选型忠告 | 大电流工况优先选型，降低器件过热炸机 |
| 引脚编号 | 引脚电气功能+实操小贴士 |
|---|---|
| 1 | Gate栅极：接收驱动信号管控通断 |
| 2 | Drain漏极：接入高压侧主供电回路 |
| 3 | Source源极：连通低压侧回路做电流输出 |
| 参数名称 | 符号 | 额定数值 | 计量单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿耐压 | Vdss | 80 | V |
| 栅极可承受电压 | Vgss | ±20 | V |
| 25℃稳态漏极电流 | Id | 190 | A |
| 100℃稳态漏极电流 | Id | 143 | A |
| 瞬时脉冲峰值电流 | IdM | 750 | A |
| 单次雪崩冲击耐受量 | EAS | 880 | mJ |
| 室温额定功耗上限 | Pd | 227 | W |
| 高温功耗降额系数 | Pd | 1.82 | W/℃ |
| 引脚短时耐焊接温度 | TL | 300 | ℃ |
| 塑封壳体耐焊接温度 | TPAK | 260 | ℃ |
| 结温、仓储温度区间 | TJ/TSTG | -55 ~ 150 | ℃ |
| 热阻项目名称 | 参数代号 | 实测典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 管芯到封装外壳热阻 | RθJC | 0.55 | ℃/W |
| 管芯流向环境空气热阻 | RθJA | 50 | ℃/W |
| 自媒体散热建议 | 大功率工况加装散热片，规避长期高温老化失效 | ||
| 参数类目 | 符号 | 测试限定条件 | 下限 | 典型 | 上限 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | VGS=0V,Id=250uA | 80 | - | - | V |
| 漏极静态漏电 | Idss | VDS=80V,VGS=0V | - | - | 1 | uA |
| 栅极静态漏电 | Igss | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| TO263导通内阻 | Rds(on) | VGS=10V,Id=40A | - | 3.1 | 3.5 | mΩ |
| 栅极开启阈值电压 | VGS(TH) | VDS=VGS,Id=250uA | 2.0 | - | 4.0 | V |
| 正向跨导系数 | gfs | VDS=15V,Id=25A | - | 18 | - | S |
| 回路输入寄生电容 | Ciss | VGS=0V,VDS=40V,1MHz | - | 6670 | - | pF |
| 米勒反向传输电容 | Crss | - | 54 | - | pF | |
| 端口输出寄生电容 | Coss | - | 1020 | - | pF | |
| 栅极完整充电电荷 | Qg | VDD=40V,ID=50A,VGS=10V | - | 105 | - | nC |
| 栅源区间电荷体量 | Qgs | - | 28 | - | nC | |
| 米勒区间栅漏电荷 | Qgd | - | 29 | - | nC | |
| 开通阶段延迟时长 | td(on) | VDD=40V,ID=50A,RG=3Ω,VGS=10V | - | 30 | - | ns |
| 电压上升过渡耗时 | trise | - | 20 | - | ns | |
| 关断阶段延迟时长 | td(off) | - | 65 | - | ns | |
| 电压下降过渡耗时 | tfall | - | 18 | - | ns | |
| 体二极管稳态通流 | IsD | MOS内置PN体二极管 | - | - | 190 | A |
| 体二极管脉冲通流 | IsSM | MOS内置PN体二极管 | - | - | 750 | A |
| 体二极管正向压降 | VSD | Is=80A,VGS=0V | - | - | 1.2 | V |
| 二极管反向恢复时长 | trr | VGS=0V,IF=50A,diF/dt=100A/us | - | 82 | - | ns |
| 反向恢复累积电荷量 | Qrr | - | 71 | - | uC |
八、KCD2408A（TO-263封装）平替替代型号清单（竖排适配窄栏目）
| 可直接PIN对PIN平替物料 |
IRFR2408 AOD408 NTD2408 FQD24N08 KSM2408A IRLR8726 SUD2408 AOSD4208 |
|---|---|
| 替换适配说明 | 耐压电流参数匹配，TO?263封装引脚完全兼容 |
| 自媒体选型贴心提醒 | 无需改版PCB板卡，贴片直接更替，零额外改造成本 |
| 功耗痛点解决能力 | 低导通内阻削减发热，整机待机功耗被压低 |
|---|---|
| 工况环境兼容实力 | 零下低温至工业高温区间，器件性能无明显衰减 |
| 瞬时负载抗冲击性 | 750A峰值耐受，规避浪涌电流造成的器件烧毁 |
| 批量批次品质把控 | 原厂标准化产线制造，不同批次参数偏差极低 |
| 市场采购性价比优势 | 对标海外进口器件性能，整体物料采购成本下调 |
| 终端项目落地口碑 | 快充、储能品类大批量商用，市场返修率维持低位 |
| TO?263封装加分项 | 散热接触面更大，重载工况散热表现优于TO?252 |
| 现货库存兜底保障 | 品牌常备安全现货，杜绝项目中途断货停工 |
|---|---|
| 订单交付时效承诺 | 零散订单即日发货；大额批量订单协商加急排产 |
| 出厂多层品质筛查 | 电性、耐压、高低温老化全维度做成品检测 |
| 渠道采购价格优势 | 原厂直供模式，砍掉中间商加价压低拿货支出 |
| 样品申领扶持政策 | 工程师可免费申领样品，降低前期选型试错开销 |
| 长期战略合作权益 | 稳定复采客户可锁定长期议价、优先锁定库存 |
| 定制化电路选型指导 | 专职半导体工程师匹配适配整机电路工况 |
|---|---|
| 全套配套资料供给 | 免费交付规格书、参考原理图、波形测试素材 |
| 售后问题快速应答 | 对接选型、焊接、整机适配遇到的各类疑难卡点 |
| 整机功耗优化方案 | 依托器件特性，帮忙优化整机发热、损耗表现 |
| 批量量产驻场协助 | 大额订单可提供贴片制程层面的落地实操建议 |
| 产品核心市场定位 | 80V190A大功率低损耗TO?263贴片MOSFET |
|---|---|
| 终端用户普遍痛点 | 快充储能设备发热偏高、器件浪涌易击穿损坏 |
| 给到终端核心价值 | 电源能效提升、设备故障率下滑、整机服役年限拉长 |
| 差异化竞争亮点 | 比肩进口高端型号硬性指标，采购预算压力明显下降 |
| 分圈层种草宣传短句 | 工程选型：大功率快充储能场景稳妥靠谱选型 |
| 面向采购宣传短句 | 批量拿货价优库存稳，项目供应链承压能力变强 |
| 封装专属卖点话术 | TO?263强化散热，高负载长时间运行不易过热 |
| 品牌官方主推Slogan | KCD2408A，高能效大功率电源场景耐用MOS优选 |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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