KCB032N10N TO-263 100V120A 低内阻 MOS
信息来源：本站 日期：2026-07-14
KCB032N10N TO-263 100V120A 低内阻 MOS
2.8mΩ 超低导通内阻，整机温升达标轻松过安规｜800mJ 雪崩能量，浪涌冲击不易炸管
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| 项目 | 参数详情 |
|---|---|
| 产品系列型号 | KCX032N10N |
| TO-263封装料号 | KCB032N10N |
| TOLL-8封装料号 | KCT032N10N |
| 额定耐压VDS | 100V |
| 连续电流ID(Tc=25℃) | 120A |
| 典型Rds(on) | TO-263:2.8mΩ；TOLL:2.6mΩ |
| 单盘包装数量 | TO-263:1000pcs；TOLL:2000pcs |
| 芯片工艺 | Geener新一代先进MOS工艺 |
| 品质检测 | 100% DVDS测试、100%雪崩冲击测试 |
| 环保认证 | RoHS合规、无卤素HF标准 |
| 可靠性标准 | 全系列符合JEDEC工业级规范 |
| 序号 | 优势说明(单行≤35字) |
|---|---|
| 1 | 采用Geener自研先进MOS半导体工艺制程 |
| 2 | 极低导通内阻RDS(on)，导通损耗大幅降低 |
| 3 | 优异QgxRds(on) FOM优值，开关损耗更小 |
| 4 | 严格遵循JEDEC工业可靠性测试标准 |
| 序号 | 应用领域(单行≤35字) |
|---|---|
| 1 | 工业直流电机控制、大功率电机驱动电路 |
| 2 | 储能BMS电池管理、锂电充放电功率回路 |
| 3 | UPS不间断电源、逆变开关电源设备 |
| 参数名称 | 符号 | 数值 | 单位 | 测试备注条件 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | VDS | 100 | V | - |
| 连续漏极电流 | ID | 120 | A | Tc=25℃ |
| 连续漏极电流 | ID | 21 | A | TA=25℃ |
| 连续漏极电流 | ID | 113 | A | Tc=100℃ |
| 脉冲漏极电流 | ID pulse | 480 | A | Tc=25℃，受结温上限约束 |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 800 | mJ | L=0.5mH,Rg=25Ω |
| 栅源极限电压 | VGS | ±20 | V | - |
| 芯片总耗散功率 | Ptot | 215 | W | Tc=25℃ |
| 工作/存储结温区间 | Tj,Tstg | -55~+150 | ℃ | 设备极限温区 |
| 参数名称 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 芯片到外壳热阻 | RthJC | 0.58 | ℃/W |
| 芯片到环境热阻 | RthJA | 40 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | Min | Typ | Max | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | 100 | - | - | V | VGS=0V,ID=250uA |
| 栅极开启阈值电压 | VGS(th) | 2.2 | 3 | 3.8 | V | VDS=VGS,ID=250uA |
| 零栅压漏极漏电流 | IDSS | - | - | 1 | μA | VDS=100V,VGS=0V,Tj=25℃ |
| 栅源反向漏电流 | IGSS | - | - | ±100 | nA | VGS=±20V,VDS=0V |
| TO-263导通内阻 | RDS(on) | - | 2.8 | 3.5 | mΩ | VGS=10V,ID=50A |
| TOLL封装导通内阻 | RDS(on) | - | 2.6 | 3.3 | mΩ | VGS=10V,ID=50A |
| 跨导增益 | gfs | - | 113 | - | S | VDS=5V,ID=50A |
| 参数名称 | 符号 | 典型值 | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|
| 输入电容Ciss | Ciss | 7470 | pF | VGS=0V,VDS=50V,f=1MHz |
| 输出电容Coss | Coss | 930 | pF | VGS=0V,VDS=50V,f=1MHz |
| 反向传输电容Crss | Crss | 50 | pF | VGS=0V,VDS=50V,f=1MHz |
| 栅极总电荷QG | QG | 130 | nC | VGS=10V,VDS=50V,ID=50A |
| 栅源电荷QGS | QGS | 35 | nC | VGS=10V,VDS=50V,ID=50A |
| 栅漏电荷QGD | QGD | 40 | nC | VGS=10V,VDS=50V,ID=50A |
| 开通延迟时间 | td(on) | 50 | ns | VGS=10V,VDS=50V,RGEN=6Ω |
| 电压上升时间tr | tr | 74 | ns | VGS=10V,VDS=50V,RGEN=6Ω |
| 关断延迟时间 | td(off) | 97 | ns | VGS=10V,VDS=50V,RGEN=6Ω |
| 电压下降时间tf | tf | 30 | ns | VGS=10V,VDS=50V,RGEN=6Ω |
| 芯片栅极内阻RG | RG | 1.5 | Ω | VGS=0V,VDS=0V,f=1MHz |
| 参数名称 | 符号 | Min | Typ | Max | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 体二极管正向压降 | VSD | - | 0.9 | 1.2 | V | VGS=0V,ISD=50A |
| 二极管反向恢复时间 | trr | - | 68 | - | ns | IF=50A,VDS=50V |
| 反向恢复电荷Qrr | Qrr | - | 116 | - | nC | dI/dt=100A/μs |
| 完整物料型号 | 本体丝印标识 | 封装规格 | 包装形式 | 单盘标准数量 |
|---|---|---|---|---|
| KCB032N10N | KCB032N10N | TO-263 | 编带卷带 | 1000pcs |
| KCT032N10N | KCT032N10N | TOLL-8 | 编带卷带 | 2000pcs |
| 适配主型号：KCB032N10N TO-263 100V/120A MOS管 |
|---|
|
| 卖点分类 | 营销文案(单行≤35字) |
|---|---|
| 性能优势1 | 100V耐压120A大电流，适配中小功率逆变电源 |
| 性能优势2 | TO-263封装Rds(on)仅2.8mΩ，设备温升更低 |
| 性能优势3 | FOM优值优异，开关损耗低，整机转换效率提升 |
| 可靠性卖点 | 800mJ雪崩能量，100%冲击检测，不易炸管 |
| 安规适配卖点 | 低开关噪声，EMC测试轻松通过，适配安规AC/DC方案 |
| 应用适配卖点 | 电机驱动、储能BMS、UPS不间断电源通用 |
| 封装供应链卖点 | TO-263标准贴片，单盘1000pcs，现货批量价优 |
| 认证配套卖点 | 完整规格书+检测报告，RoHS无卤素出口无忧 |
座机：0755-83888366-8022
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