KIA KNK7590A TO-264 900V24A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
信息来源：本站 日期：2026-07-28
KIA KNK7590A TO-264 900V24A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
900V 高压大电流 MOS 管，低导通电阻低开关损耗，电焊机 / BLDC 电机 / 大功率电源专用
KNK7590A,KIA MOS管，TO-264 MOS管，900V24A N 沟道 MOSFET
| 参数项目 | 参数详情 |
|---|---|
| 产品型号 | KNK7590A |
| 器件类型 | N-CHANNEL MOSFET |
| 封装规格 | TO-264 |
| 品牌厂商 | KIA SEMICONDUCTORS |
| 核心规格 | 900V，连续漏极电流24A |
| 引脚定义 | 1-Gate，2-Drain，3-Source |
| 序号 | 特性说明 |
|---|---|
| 1 | Rds(on)=300mΩ(典型值)@VGS=10V |
| 2 | 采用先进平面平面半导体工艺 |
| 3 | 低栅极电荷，最大限度降低开关损耗 |
| 4 | 坚固多晶硅栅极结构，抗冲击耐用 |
| 序号 | 适用设备领域 |
|---|---|
| 1 | BLDC无刷直流电机驱动器 |
| 2 | 工业电焊机功率开关器件 |
| 3 | 高效率大功率SMPS开关电源 |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | Vdss | 900 | V |
| 栅源电压 | Vgss | ±30 | V |
| 25℃连续漏极电流 | Id | 24 | A |
| 100℃连续漏极电流 | Id | 15 | A |
| 脉冲漏极电流 VGS=10V | IdM | 96 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 3200 | mJ |
| 二极管恢复峰值dv/dt | dv/dt | 5.0 | V/ns |
| 25℃封装耗散功率 | Pd | 660 | W |
| 25℃以上降额系数 | - | 5.26 | W/℃ |
| 引脚焊接最高温度10s | TL | 300 | ℃ |
| 封装本体峰值温度10s | Tpak | 260 | ℃ |
| 结温/存储温度范围 | Tj,Tstg | -55 ~ 150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 参数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 0.19 | ℃/W |
| 结到环境热阻 | RθJA | 55 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | VGS=0V,Id=250uA | 900 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | Idss | Vds=900V,VGS=0V | - | - | 5 | uA |
| 高温漏源漏电流 | Idss | Vds=720V,Tj=125℃ | - | - | 125 | uA |
| 栅极漏电流 | Igss | VGS=±30V,Vds=0V | - | - | ±100 | nA |
| 导通电阻 | Rds(on) | VGS=10V,Id=12A | - | 300 | 420 | mΩ |
| 栅阈值电压 | VGS(th) | Vds=VGS,Id=250uA | 2.5 | - | 4.5 | V |
| 正向跨导 | gfs | Vds=25V,Id=12A | - | 18 | - | S |
| 输入电容 | Ciss | Vds=25V,VGS=0V,f=1MHz | - | 7400 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | Vds=25V,VGS=0V,f=1MHz | - | 98 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | Vds=25V,VGS=0V,f=1MHz | - | 580 | - | pF |
| 总栅电荷(10V) | Qg | Vdd=450V,Id=12A,VGS=0~10V | - | 180 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | Vdd=450V,Id=12A,VGS=0~10V | - | 42 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | Vdd=450V,Id=12A,VGS=0~10V | - | 60 | - | nC |
| 开通延迟时间 | td(on) | Vdd=450V,VGS=10V,RG=10Ω,Id=12A | - | 58 | - | ns |
| 上升时间 | tr | Vdd=450V,VGS=10V,RG=10Ω,Id=12A | - | 148 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | Vdd=450V,VGS=10V,RG=10Ω,Id=12A | - | 85 | - | ns |
| 下降时间 | tf | Vdd=450V,VGS=10V,RG=10Ω,Id=12A | - | 125 | - | ns |
| 连续源极电流 | Isd | MOS内置PN体二极管 | - | - | 24 | A |
| 脉冲源极电流 | IsM | MOS内置PN体二极管 | - | - | 96 | A |
| 二极管正向压降 | Vsd | Is=24A,VGS=0V | - | - | 1.5 | V |
| 反向恢复时间 | trr | VGS=0V,If=24A,dIf/dt=100A/μs | - | 900 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | VGS=0V,If=24A,dIf/dt=100A/μs | - | 2.0 | - | nC |
七、KNL7590A（ TO-264封装）平替替代型号清单（窄屏竖排展示）
| KNK7590A 适配平替型号 | 型号替代说明 |
|---|---|
|
FCH24N90 SPA24N90C TK24A90W W24N90 IPW90R300C3 SPW24N90C3 |
同规格900V/24A TO247/TO264高压N沟道MOS，导通电阻接近，可直接硬件替换，适配电焊机、大功率电源、无刷电机驱动设备 |
| 测试电路名称 | 电路用途 |
|---|---|
| 二极管恢复dv/dt测试电路 | 测试体二极管反向恢复速率 |
| 开关特性测试电路 | 测试MOS开通、关断时间参数 |
| 栅电荷测试电路 | 检测Qg/Qgs/Qgd栅极电荷参数 |
| 无钳位电感开关测试电路 | 器件雪崩耐受能力、EAS能量测试 |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
申请样品、下载规格书、在线询价
参数、规格书、样品申请
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
