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16N50现货供应商 KIA16N50 16A/50V PDF文件 16N50参数详细资料-KIA

信息来源:本站 日期:2018-02-05 

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KIA16N50参数指标

功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS工艺生产的起亚。这种先进的技术已特别定制,以尽量减少对国家的阻力,提供优越的开关。性能,在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲。这些设备非常适合于高效率开关电源,有源功率因数校正的基础上半桥拓扑。


KIA16N50特征

RDS(ON)= 0.32Ω@ VGS = 10v

低栅极电荷(典型的45nc)

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt/dt能力


KIA16N50应用

高效率开关电源,有源功率因数校正的基础上半桥拓扑。


参数指标

产品型号:KIA16N50

工作方式:16A/500V

漏源电压:500V

栅源电压:±30V

漏电流连续:16*A

雪崩能量:853mJ

功率耗损:38.5W

热电阻:62.5℃/W

漏源击穿电压:38.5V

栅极阈值电压:3.0V

输入电容:2200 PF

输出电容:350 PF

上升时间:170 ns

封装形式:TO-220F、TO-3P、TO-247



KIA16N50(16A 500V
产品编号 KIA16N50HF/HH/HM
FET极性 N沟道MOSFET
产品工艺

功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS工艺生产的起亚。这种先进的技术已特别定制,以尽量减少对国家的阻力,提供优越的开关。性能,在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲。这些设备非常适合于高效率开关电源,有源功率因数校正的基础上半桥拓扑。


产品特征

RDS(ON)= 0.32Ω@ VGS = 10v

低栅极电荷(典型的45nc)

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt/dt能力

适用范围

主要适用于高效率开关电源,有源功率因数校正的基础上半桥拓扑

封装形式 TO-220F、TO-3P、TO-247
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LOGO
厂家 KIA原厂家
网址 www.kiaic.com
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联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

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