KIA3400 SOT-23 30V4.8A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
信息来源：本站 日期：2026-08-14
KIA3400 SOT-23 30V4.8A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
2.5V 低压驱动低内阻，完美平替 AO3400/SI3400
KIA3400 mos管，KIA3400 SOT-23
KIA3400规格书
| 项目 | 参数详情 |
|---|---|
| 产品型号 | KIA3400 |
| 封装类型 | SOT-23贴片封装 |
| 沟道类型 | N-CHANNEL N沟道mos管 |
| 额定漏源耐压Vds | 30V |
| 连续漏极电流Id(25℃) | 4.8A |
| 制造工艺 | 先进沟槽工艺，低栅电荷 |
| 环保认证 | 无铅，符合ROHS、Sony 259标准 |
| 引脚定义 | 1栅极Gate｜2源极Source｜3漏极Drain |
| 核心导通电阻参数 |
|
| 产品用途 | 负载开关、PWM脉冲调制电路专用 |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 | 测试备注 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | VDS | 30 | V | - |
| 栅源电压范围 | VGS | ±12 | V | - |
| 连续漏极电流Id | Id | 4.8 | A | TA=25℃ |
| 脉冲漏极电流 | IdM | 30 | A | 脉冲受结温限制 |
| 总耗散功率Pd | Pd |
1.4 1 |
W |
TA=25℃ TA=70℃ |
| 结温/存储温度区间 | TJ,TSTG | -55~150 | ℃ | 极限工作温度 |
| 参数名称 | 符号 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|
| 结到环境热阻(t≤10s) | RθJA | 65 | 90 | ℃/W | 短时脉冲工况 |
| 稳态结到环境热阻 | RθJA | 85 | 125 | ℃/W | 长期连续工作 |
| 结到引脚热阻 | RθJL | 43 | 60 | ℃/W | 散热引脚导热 |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | Vgs=0V,Id=250μA | 30 | - | - | V |
| 零栅压漏电流 | Idss | Vds=25V,Vgs=0V | - | - | 1 | μA |
| 栅体漏电流 | Igss | Vgs=±12V,Vds=0V | - | - | 100 | nA |
| 栅极开启阈值电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs,Id=250μA | 0.6 | - | - | V |
| 导通漏极电流 | Id(on) | Vgs=4.5V,Vds=5V | 30 | - | - | A |
| 导通电阻Rds(on) | Rds(on) | Vgs=10V,Id=4.8A | - | - | 40 | mΩ |
| Vgs=4.5V,Id=4.0A | - | - | 42 | mΩ | ||
| Vgs=2.5V,Id=3.5A | - | - | 55 | mΩ | ||
| 正向跨导 | gfs | Vds=5V,Id=4.8A | 10 | 15 | - | S |
| 体二极管正向压降 | Vsd | Vgs=0V,Is=1A | 0.71 | - | 1.2 | V |
| 体二极管连续电流 | Is | 标准测试条件 | - | - | 2.5 | A |
| 输入电容Ciss | Ciss | Vds=15V,Vgs=0V,f=1MHz | - | 823 | - | pF |
| 输出电容Coss | Coss | - | 99 | - | pF | |
| 反向传输电容Crss | Crss | - | 77 | - | pF | |
| 栅极内阻Rg | Rg | Vds=0V,f=1MHz | - | 1.2 | - | Ω |
| 总栅电荷Qg | Qg | Vds=15V,Vgs=4.5V,Id=5.8A | - | 9.7 | - | nC |
| 栅源电荷Qgs | Qgs | - | 1.6 | - | nC | |
| 栅漏电荷Qgd | Qgd | - | 3.1 | - | nC | |
| 开通延迟时间td(on) | td(on) | Vds=15V,RL=2.7Ω,Rg=3Ω,Vgs=10V | - | 3.3 | - | ns |
| 上升时间tr | tr | - | 4.8 | - | ns | |
| 关断延迟时间td(off) | td(off) | - | 26.3 | - | ns | |
| 下降时间tf | tf | - | 4.1 | - | ns | |
| 反向恢复时间trr | trr | IF=5A,di/dt=100A/μs | - | 16 | - | ns |
| 反向恢复电荷Qrr | Qrr | - | 8.9 | - | nC |
| 图表编号 | 图表核心参数信息 |
|---|---|
| Fig1 导通区特性 | 不同Vgs(2V/2.5V/3V/4.5V/10V)Id-Vds导通曲线 |
| Fig2 转移特性曲线 | 25℃/125℃高低温下Vgs与漏极电流Id对应关系 |
| Fig3 Rds(on)-Id曲线 | 2.5V/4.5V/10V栅压下导通电阻随负载电流变化 |
| Fig4 Rds(on)-温度曲线 | 结温升高，归一化导通电阻同步线性上升 |
| Fig5 Rds(on)-Vgs曲线 | Vgs电压越高，器件导通电阻越低，25℃/125℃对比 |
| Fig6 体二极管特性 | 25℃/125℃下源漏正向电压Vsd与电流Is变化曲线 |
| Fig7 栅电荷特性曲线 | Vgs充放电电压随总栅电荷Qg线性变化关系 |
| Fig8 极间电容曲线 | Ciss/Coss/Crss电容数值随Vds耐压升高持续衰减 |
| Fig9 SOA安全工作区 | 不同脉冲时长下器件允许最大Id、Vds工作区间 |
| Fig10 单脉冲功率曲线 | 脉冲时间越长，器件可承受瞬时峰值功率越低 |
| Fig11 归一化热瞬态阻抗 | 不同占空比脉冲下结到环境散热阻抗变化规律 |
| 同规格30V SOT-23 N沟道mos管进口平替 |
|---|
|
| KIA原厂同封装兼容平替型号 |
|
| 国产高性价比同参数平替型号 |
|
| 推广板块 | 营销文案(单行≤35字) |
|---|---|
| 产品SEO定位 | KIA3400 SOT-23 30V4.8A低压大电流N沟道开关mos管 |
| 核心卖点1 超低驱动电压 | 最低2.5V即可驱动，适配单片机3.3V低压控制系统 |
| 核心卖点2 极低导通损耗 | 沟槽工艺Rds(on)低至40mΩ，大电流工况温升更低 |
| 核心卖点3 高速开关低栅电荷 | 栅电荷小，开关损耗低，PWM调光/变频电路更稳定 |
| 核心卖点4 宽温稳定可靠 | -55~150℃宽温工作，电池充放电保护板优选 |
| 主流应用场景 | 充电宝、蓝牙耳机、电机驱动、LED调光、负载开关、电池保护 |
| 供货服务优势 | KIA原厂现货充足，免费提供样品、规格书、批量报价 |
| 选型替代优势 | 完美兼容AO3400/SI3400，解决进口器件交期长痛点 |
| 合规环保优势 | 无铅环保，满足ROHS、索尼259全球出货标准 |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
申请样品、下载规格书、在线询价
参数、规格书、样品申请
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
