KIA3N80参数

KIA3n80hN沟道增强型硅栅功率MOSFET的设计对于高电压，高速功率开关应用，如开关稳压器，开关转换器，螺线管，电机驱动器，继电器驱动程序。

特征

RDS(on)=4.8Ω @ VGS=10V

低栅极电荷（典型的13nc）

高耐用性

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt／dt能力

参数

产品型号：KIA3N80

工作方式：3.0A/800V

漏源电压：800V

栅源电压：±30V

漏电流连续：3A

脉冲漏极电流：12A

雪崩能量：320mJ

耗散功率：39W

热电阻：62.5℃/W

漏源击穿电压：800V

温度系数：1V/℃

栅极阈值电压：3.0V

输入电容：543 PF

输出电容：54 PF

上升时间：43.5 ns

封装形式：TO-220F

	KIA3N80
产品编号	KIA3M80（3.0A 800V）
FET极性	N沟道MOSFET
产品特征	RDS(on)=4.8Ω @ VGS=10V 低栅极电荷（典型的13nc）高耐用性快速切换的能力雪崩能量改进的dt／dt能力
适用范围	KIA3n80hN沟道增强型硅栅功率MOSFET的设计对于高电压，高速功率开关应用，如开关稳压器，开关转换器，螺线管，电机驱动器，继电器驱动程序。
封装形式	TO-220F
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	www.kiaic.com
PDF页总数	总6页