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3N80现货供应商 KIA3N80 3.0A/800V PDF文件下载 3N80参数资料-KIA官网

信息来源:本站 日期:2018-02-06 

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KIA3N80参数

KIA3n80hN沟道增强型硅栅功率MOSFET的设计对于高电压,高速功率开关应用,如开关稳压器,开关转换器,螺线管,电机驱动器,继电器驱动程序。

特征

RDS(on)=4.8Ω @ VGS=10V

低栅极电荷(典型的13nc)

高耐用性

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt/dt能力


参数

产品型号:KIA3N80

工作方式:3.0A/800V

漏源电压:800V

栅源电压:±30V

漏电流连续:3A

脉冲漏极电流:12A

雪崩能量:320mJ

耗散功率:39W

热电阻:62.5℃/W

漏源击穿电压:800V

温度系数:1V/℃

栅极阈值电压:3.0V

输入电容:543 PF

输出电容:54 PF

上升时间:43.5 ns

封装形式:TO-220F



KIA3N80
产品编号 KIA3M80(3.0A 800V
FET极性 N沟道MOSFET
产品特征

RDS(on)=4.8Ω @ VGS=10V

低栅极电荷(典型的13nc)

高耐用性

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt/dt能力

适用范围 KIA3n80hN沟道增强型硅栅功率MOSFET的设计对于高电压,高速功率开关应用,如开关稳压器,开关转换器,螺线管,电机驱动器,继电器驱动程序。
封装形式 TO-220F
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LOGO
厂家 KIA原厂家
网址 www.kiaic.com
PDF页总数 总6页

联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


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