KNB2906A TO-263 60V130A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
低导通电阻高雪崩耐量，大功率电源 MOS 管选型
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大功率 MOS管，低内阻 MOS管，电源 MOS管，UPS MOS管
KNB2906A规格书
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KNX2906A（KNB2906A TO-263）N沟道MOS管
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品牌
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KIA SEMICONDUCTORS
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封装型号
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KNB2906A（TO-263）；KND2906A（TO-252）
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类型
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N-CHANNEL MOSFET
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VDSS 漏源电压
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60V
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ID连续漏极电流Tc=25℃
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130A
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ID连续漏极电流Tc=100℃
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90A
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脉冲漏极电流IDM
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360A
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RDS(on)@Vgs=10V
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5.5mΩ(典型值),最大7mΩ
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VGSS栅源电压
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±25V
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雪崩电流IAS
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25A
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雪崩能量EAS
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576mJ
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功耗PD Tc=25℃ TO-263
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200W
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功耗PD Tc=100℃ TO-263
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100W
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热阻RθJC 结到壳TO-263
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0.75℃/W
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阈值电压VGS(th)
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2V~4V，典型3V
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栅极总电荷Qg@Vds=50V Id=70A
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66.34nC
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输入电容Ciss
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3100pF
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输出电容Coss
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926pF
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反向传输电容Crss
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451pF
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源漏二极管正向电压VSD
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0.88V典型，最大1.3V
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工作存储温度范围
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-55℃ ~ +175℃
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引脚定义 TO-263
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1:Gate栅极，2:Drain漏极，3:Source源极
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产品特点
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低Rds(on)降低导通损耗；高雪崩电流；无铅环保
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应用领域
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电源供应器、UPS不间断电源、电动工具
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平替替代型号清单
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IRF130N
IRL540N
STS130N6
STP130N6
AOT1306
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KNB2906A（TO-263封装）
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KNB2906A是KIA半导体TO-263封装N沟道功率MOS管，耐压60V，持续电流130A。
极低导通电阻有效降低发热与导通损耗，具备优秀雪崩耐量，器件可靠性强。
无铅环保封装，适配大功率电源、UPS、电动工具等场景，国产替代现货充足，
交期稳定，适合批量电源项目选型。
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