KNB1906A TO-263 60V230A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
低内阻大功率 MOS 管，BMS/UPS 电源专用
KNB1906A，TO-263MOS管，60V230A N 沟道 MOS管，
低内阻 MOS管，BMS 电池管理 MOS管，UPS 电源 MOS管
KNB1906A规格书
产品概述｜KNB1906A（TO-263封装）N沟道MOS管
|
产品型号
|
KNB1906A
|
|
封装形式
|
TO-263
|
|
产品类型
|
N沟道功率MOS管
|
|
产品亮点
|
Rds(on)典型2.7mΩ@Vgs=10V
低导通电阻，降低导通损耗
高雪崩电流，抗冲击能力强
无铅环保，符合RoHS标准
|
KNB1906A（TO-263封装）绝对最大额定值
|
漏源电压VDSS
|
60V
|
|
栅源电压VGSS
|
±25V
|
|
连续漏极电流ID（Tc=25℃）
|
230A
|
|
连续漏极电流ID（Tc=100℃）
|
150A
|
|
脉冲漏极电流IDM
|
880A
|
|
雪崩电流IAS
|
40A
|
|
单脉冲雪崩能量EAS
|
800mJ
|
|
最大功耗PD（Tc=25℃）
|
307W
|
|
最大功耗PD（Tc=100℃）
|
153.5W
|
|
结温TJ
|
175℃
|
|
存储温度TSTG
|
-55℃ ~ +150℃
|
热特性参数
|
结到环境热阻RθJA
|
62.5℃/W
|
|
结到外壳热阻RθJC
|
0.58℃/W
|
电气特性（25℃）
|
漏源击穿电压BVDSS
|
60V（Vgs=0V，Id=250μA）
|
|
零栅压漏极电流IDSS
|
最大1μA@25℃；最大20μA@125℃
|
|
栅极阈值电压VGS(th)
|
2~4V
|
|
栅极漏电流IGSS
|
±100nA（Vgs=±25V，Vds=0V）
|
|
导通电阻RDS(on)
|
典型2.7mΩ，最大3.5mΩ（Vgs=10V，Id=75A）
|
|
栅极电阻Rg
|
典型3Ω
|
|
体二极管正向电压VSD
|
0.9~1.3V（Isd=75A，Vgs=0V）
|
|
体二极管连续电流Is
|
最大50A
|
|
反向恢复时间trr
|
典型48ns
|
|
反向恢复电荷Qrr
|
典型72nC
|
|
输入电容Ciss
|
典型7300pF
|
|
输出电容Coss
|
典型1090pF
|
|
反向传输电容Crss
|
典型560pF
|
|
开通延迟时间td(on)
|
典型27ns
|
|
上升时间tr
|
典型19ns
|
|
关断延迟时间td(off)
|
典型41ns
|
|
下降时间tf
|
典型52ns
|
|
总栅电荷Qg
|
典型172nC
|
|
栅源电荷Qgs
|
典型32nC
|
|
栅漏电荷Qgd
|
典型62nC
|
KNB1906A（TO-263封装）平替替代型号清单
IRLR2905
AOT290L
NTP230N06
STL230N6F7
IRF2904S
|
KNB1906A（TO-263封装）典型应用场景
开关电源电路
UPS不间断电源
BMS电池管理系统
大功率锂电保护
大电流电源转换
|
KNB1906A（TO-263封装）产品营销优势
TO-263贴片封装，适合SMT自动化生产
极低2.7mΩ导通电阻，大幅降低发热损耗
高雪崩电流，恶劣工况抗冲击可靠性强
大电流230A规格，满足大功率电源设计
原厂可提供样品测试，BOM一站式配套
|
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
申请样品、下载规格书、在线询价
参数、规格书、样品申请
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
