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产品概述 KIA1906AM（TO-247）N沟道MOS管
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型号
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KIA1906AM
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封装
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TO-247
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规格
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60V，230A N-CHANNEL MOSFET
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引脚定义
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1:Gate，2:Drain，3:Source
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KNP1906A（TO-220封装）产品特性
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特性
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Rds(on)=2.7mΩ(typ.)@VGS=10V
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无铅环保器件
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低导通电阻，降低导通损耗
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高雪崩电流能力
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KNP1906A（TO-220封装）应用场景
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应用
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电源供应器
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UPS不间断电源
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电池管理系统BMS
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KNP1906A（TO-220封装）最大额定参数（TA=25℃）
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漏源电压 VDSS
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60V
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栅源电压 VGSS
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±25V
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连续漏极电流 ID@Tc=25℃
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230A
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连续漏极电流 ID@Tc=100℃
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150A
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脉冲漏极电流 IDM@Tc=25℃
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880A
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雪崩电流 IAS
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40A
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雪崩能量 EAS
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800mJ
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最大功耗 PD@Tc=25℃
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307W
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最大功耗 PD@Tc=100℃
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153.5W
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最高结温 TJ
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175℃
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存储温度 TSTG
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-55 ~ 150℃
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KNP1906A（TO-220封装）热学参数
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结到环境热阻 RθJA
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62.5 ℃/W
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结到壳热阻 RθJC
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0.58 ℃/W
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KNP1906A（TO-220封装）电气特性（TA=25℃）
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漏源击穿电压 BV DSS
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Min 60V，VGS=0V,IDS=250μA
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零栅压漏极电流 IDSS@VDS=48V
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Max1μA@25℃；Max20μA@125℃
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栅极阈值电压 VGS(th)
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Min2V，Typ3V，Max4V；VDS=VGS,ID=250μA
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栅极漏电流 IGSS@VGS=±25V,VDS=0V
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±100nA Max
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漏源导通电阻 RDS(on)
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Typ2.7mΩ，Max3.5mΩ；VGS=10V,ID=75A
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栅极电阻 Rg
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Typ3Ω；VDS=0V,VGS=0V,f=1MHz
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输入电容 Ciss
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Typ7300pF；VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz
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输出电容 Coss
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Typ1090pF；VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz
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反向传输电容 Crss
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Typ560pF；VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz
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开通延迟时间 td(on)
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Typ27ns；VDD=30V,IDS=75A,Rg=25Ω,VGS=10V
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上升时间 tr
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Typ19ns；VDD=30V,IDS=75A,Rg=25Ω,VGS=10V
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关断延迟时间 td(off)
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Typ41ns；VDD=30V,IDS=75A,Rg=25Ω,VGS=10V
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下降时间 tf
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Typ52ns；VDD=30V,IDS=75A,Rg=25Ω,VGS=10V
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总栅电荷 Qg
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Typ172nC；VDS=48V,VGS=10V,ID=75A
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栅源电荷 Qgs
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Typ32nC；VDS=48V,VGS=10V,ID=75A
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栅漏电荷 Qgd
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Typ62nC；VDS=48V,VGS=10V,ID=75A
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体二极管正向电压 VSD
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Typ0.9V，Max1.3V；ISD=75A,VGS=0V
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二极管连续正向电流 Is
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50A Max
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反向恢复时间 trr
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Typ48ns；IF=75A,VDD=60V,dlSD/dt=100A/μs
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反向恢复电荷 Qrr
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Typ72nC；IF=75A,VDD=60V,dlSD/dt=100A/μs
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KNP1906A（TO-220封装）平替替代型号清单
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可直接PIN TO PIN替代
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KIA2806AM
KNB3306B
IRFP2907
FDP2532
SPP23N60C3
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KNP1906A（TO-220封装）产品营销亮点
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优势说明
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TO-247大功率封装，低导通内阻，发热小。
高雪崩耐受能力，适合BMS、大功率电源、UPS。
开关特性均衡，栅电荷低，减少开关损耗。
国产稳定供货，交期短，支持样品测试。
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