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产品概述 KNB3508A（TO-263）N沟道MOS管
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型号
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KNB3508A
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封装
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TO-263
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规格
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80V，70A N-CHANNEL MOSFET
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引脚定义
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1:Gate，2:Drain，3:Source，4:Drain
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KNB3508A（TO-263封装）产品特性
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特性
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Rds(on)=11mΩ(typ.)@VGS=10V
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100%雪崩测试验证
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器件坚固可靠，稳定性强
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无铅环保，符合RoHS规范
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KNB3508A（TO-263封装）应用场景
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应用
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开关电源类电路
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逆变系统功率管理
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KNB3508A（TO-263封装）最大额定参数（TA=25℃）
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漏源电压 VDSS
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80V（TO-220/263/252）
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栅源电压 VGSS
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±25V
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连续漏极电流 ID@Tc=25℃
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TO-263：70A；TO252：60A
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连续漏极电流 ID@Tc=100℃
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TO-263：46A；TO252：36A
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脉冲漏极电流 IDP@Tc=25℃
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240A
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雪崩电流 IAS
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70A
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最高结温 TJ
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175℃
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存储温度 TSTG
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-55 ~ 175℃
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KNB3508A（TO-263封装）电气特性（TA=25℃）
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漏源击穿电压 BVDSS
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Min80V；VGS=0V,IDS=250μA
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零栅压漏极电流 IDSS@VDS=24V
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Max1μA@25℃；Max30μA@85℃
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栅极阈值电压 VGS(th)
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Min2V，Typ3V，Max4V；VDS=VGS,ID=250μA
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栅极漏电流 IGSS@VGS=±25V,VDS=0V
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±100nA Max
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漏源导通电阻 RDS(on)
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TO263：Typ11mΩ，Max12mΩ@VGS=10V,ID=35A
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栅极电阻 Rg
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Typ1.5Ω；VDS=0V,VGS=0V,f=1MHz
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输入电容 Ciss
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Typ2900pF；VDS=30V,VGS=0V,f=1MHz
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输出电容 Coss
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Typ290pF；VDS=30V,VGS=0V,f=1MHz
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反向传输电容 Crss
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Typ175pF；VDS=30V,VGS=0V,f=1MHz
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开通延迟时间 td(on)
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Typ14ns，Max25ns；VDD=30V,IDS=1A
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上升时间 tr
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Typ11ns，Max20ns；VDD=30V,IDS=1A
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关断延迟时间 td(off)
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Typ51ns，Max92ns；VDD=30V,IDS=1A
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下降时间 tf
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Typ22ns，Max40ns；VDD=30V,IDS=1A
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总栅电荷 Qg
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Typ55nC，Max77nC；VDS=30V,VGS=10V,ID=35A
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栅源电荷 Qgs
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Typ12nC；VDS=30V,VGS=10V,ID=35A
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栅漏电荷 Qgd
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Typ16nC；VDS=30V,VGS=10V,ID=35A
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体二极管正向电压 VSD
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Typ0.8V，Max1.3V；ISD=20A,VGS=0V
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反向恢复时间 trr
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Typ44ns；ISD=35A,dISD/dt=100A/μs
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反向恢复电荷 Qrr
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Typ60nC；ISD=35A,dISD/dt=100A/μs
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KNB3508A（TO-263封装）平替替代型号清单
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可直接PIN TO PIN替代
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IRL540N
FDP70N80
NTD70N80
KIA3508A TO263
SPP70N80
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KNB3508A（TO-263封装）产品营销亮点
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优势说明
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TO-263贴片封装，80V耐压，70A大电流。
低导通内阻，100%雪崩测试，可靠性高。
开关特性优秀，适配开关电源、逆变电路。
国产稳定供货，可直接平替进口MOS管，支持样品。
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