KNP3508A TO-220 80V70A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
低内阻 9.5mΩ 大功率 MOS 管，电动车控制器、电源方案优选，原厂现货可试样
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KNP3508A规格书
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KNP3508A N沟道MOS管 产品概要
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型号
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KNP3508A
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封装
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TO-220
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类型
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N-CHANNEL MOSFET
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VDSS
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80V
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ID连续电流(25℃)
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70A
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RDS(on)(VGS=10V)
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典型11mΩ，最大12mΩ
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产品亮点
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100%雪崩测试，可靠耐冲击；无铅环保RoHS
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典型应用
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开关电路、逆变器系统电源管理
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引脚定义（TO-220）
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Pin1
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Gate 栅极(G)
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Pin2
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Drain 漏极(D)
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Pin3
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Source 源极(S)
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Pin4
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Drain 漏极(D)
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最大额定参数(TA=25℃)
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漏源电压 VDSS
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80V
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栅源电压 VGSS
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±25V
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最大结温 TJ
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175℃
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存储温度 TSTG
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-55℃ ~ 175℃
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连续漏极电流 ID(Tc=25℃)
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70A
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连续漏极电流 ID(Tc=100℃)
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46A
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脉冲漏极电流 IDP
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240A
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雪崩电流 IAS
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70A
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电气特性参数(TA=25℃)
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漏源击穿电压 BVDSS
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80V @VGS=0V,IDS=250uA
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零栅压漏电流 IDSS
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最大1μA(VDS=24V,VGS=0V)
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零栅压漏电流 IDSS(TJ=85℃)
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最大30μA(VDS=24V,VGS=0V)
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栅极阈值电压 VGS(th)
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2.0~4.0V，典型3.0V
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栅极漏电流 IGSS
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±100nA @VGS=±25V,VDS=0V
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栅极电阻 Rg
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典型1.5Ω @1MHz
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源漏二极管正向压降 VSD
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典型0.8V，最大1.3V @ISD=20A
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反向恢复时间 trr
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典型44ns @ISD=35A
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反向恢复电荷 Qrr
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典型60nC，di/dt=100A/μs
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输入电容 Ciss
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典型2900pF，VDS=30V,f=1MHz
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输出电容 Coss
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典型290pF，VDS=30V,f=1MHz
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反向传输电容 Crss
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典型175pF，VDS=30V,f=1MHz
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开通延迟时间 td(on)
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典型14ns，最大25ns
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上升时间 tr
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典型11ns，最大20ns
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关断延迟时间 td(off)
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典型51ns，最大92ns
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下降时间 tf
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典型22ns，最大40ns
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总栅电荷 Qg
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典型55nC，最大77nC@IDS=35A
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栅源电荷 Qgs
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典型12nC@VDS=30V,IDS=35A
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栅漏电荷 Qgd
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典型16nC@VDS=30V,IDS=35A
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平替替代型号清单
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备选型号
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3508
IRF3508
NCE3508
AOD3508
FQP70N08
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产品营销说明
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产品优势
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低导通电阻，70A大电流，80V耐压；
100%雪崩测试，抗冲击稳定性强；
开关速度快，适合高频电源方案；
RoHS环保，TO-220易散热装配。
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推荐场景
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逆变器电源、DC-DC开关电源、电机驱动
锂电池保护板、车载电源、大功率BMS
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