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原装KIA品牌mos管 6035 KIA6035 11A350V PDF文件下载-KIA 官网

信息来源:本站 日期:2018-02-12 

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KIA6035参数指标

这是功率MOSFET采用起亚`平面条形DMOS工艺生产的先进。这先进的技术已特别定制,以尽量减少对国家的阻力,提供优越的。开关性能,在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适用于高效率开关电源,有源功率因数校正。基于半桥拓扑。


特征

RDS(ON)= 0.38Ω@ VGS = 10v

低栅极电荷(典型的15nc)

高耐用性

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt/dt能力


参数

产品型号:KIA6035

工作方式:11A/350V

漏源电压:350V

栅源电压:±20V

漏电流连续:11A

脉冲漏极电流:36A

雪崩电流:9.91mJ

雪崩能量:423mJ

耗散功率:99W

热电阻:62.5℃/W

漏源击穿电压:350V

温度系数:0.35V/℃

栅极阈值电压:2.0V

输入电容:844 PF

输出电容:162 PF

上升时间:23.5 ns

封装形式:TO-252、TO-220



KIA6035/AD/AP
产品编号 KIA6035(11A 350V)
FET极性 N沟道MOSFET
产品工艺

这是功率MOSFET采用起亚`平面条形DMOS工艺生产的先进。这先进的技术已特别定制,以尽量减少对国家的阻力,提供优越的。开关性能,在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。

产品特征

RDS(ON)= 0.38Ω@ VGS = 10v

低栅极电荷(典型的15nc)

高耐用性

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt/dt能力

适用范围 主要适用于高效率开关电源,有源功率因数校正,基于半桥拓扑
封装形式 TO-252、TO-220
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LOGO
厂家 KIA原厂家
网址 www.kiaic.com
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