KIA40N20AH TO-3P 200V40A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
大功率 TO-3P MOS 管，低导通电阻，雪崩耐冲击，UPS 逆变与工业电源专用
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KIA40N20AH（TO-3P封装）沟道MOS管 产品概述
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型号
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KIA40N20AH
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器件类型
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N-CHANNEL MOSFET
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封装
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TO-3P
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VDSS漏源击穿电压
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200V
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ID连续漏极电流
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40A(Tc=25℃),19.2A(Tc=100℃)
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IDM脉冲漏极电流
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120A
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RDS(ON)导通电阻
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最大0.08Ω@VGS=10V
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PD最大耗散功率
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175W
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VGS栅源电压
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±30V
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工作结温范围
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-55℃ ~ 150℃
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引脚定义 TO-3P
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1:G栅极，2:D漏极，3:S源极，4:D漏极
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KIA40N20AH（TO-3P封装）产品特性 Features
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特性1
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Rds(on)最大0.08Ω@VGS=10V
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特性2
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符合RoHS环保标准
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特性3
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低导通电阻，降低发热损耗
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特性4
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低栅极电荷，驱动简易
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特性5
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开关速度快，适配高频电路
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KIA40N20AH（TO-3P封装）应用领域 Applications
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应用1
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DC-DC转换器
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应用2
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UPS DC-AC逆变变换器
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应用3
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SMPS开关电源
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应用4
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电机控制电路
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KIA40N20AH（TO-3P封装）最大额定参数 Absolute maximum ratings
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VDSS漏源电压
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200V
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ID连续漏极电流
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40A
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IDM脉冲漏极电流
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120A
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PD功耗
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175W
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VGS栅源电压
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±30V
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EAS单脉冲雪崩能量
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800mJ
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IAR雪崩电流
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32A
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EAR重复雪崩能量
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17.5mJ
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dv/dt 峰值二极管恢复
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4.5V/ns
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TJ,TSTG温度范围
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-55℃ ~ 150℃
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TL最高焊接温度
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300℃(5秒)
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KIA40N20AH（TO-3P封装）热特性 Thermal characteristics(TO-3P)
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RθJC结到外壳
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0.6℃/W
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RθJA结到环境
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60℃/W
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KIA40N20AH（TO-3P封装）电特性 Electrical characteristics(Tj=25℃)
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BVDSS漏源击穿电压
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200V @VGS=0V,ID=250μA
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VGS(TH)栅极阈值电压
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2~4V
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gfs正向跨导
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22S(VDS=40V,ID=16A)
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Ciss输入电容
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1560pF@VDS=25V,f=1MHz
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Coss输出电容
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370pF@VDS=25V,f=1MHz
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Crss反向传输电容
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150pF@VDS=25V,f=1MHz
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Qg总栅电荷
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50nC(VDS=160V,ID=32A)
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VSD体二极管正向电压
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1.4V(Is=32A,VGS=0V)
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trr反向恢复时间
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215ns
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td(on)开通延迟时间
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26ns
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tr上升时间
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32ns
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td(off)关断延迟时间
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141ns
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tf下降时间
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83ns
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KIA40N20AH（TO-3P封装）平替替代型号清单
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可替换型号
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FQP40N20
IRF40N20
SPP40N20
STP40N20
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KIA40N20AH（TO-3P封装）产品营销推广
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客户痛点
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大功率电源散热差
高频转换损耗偏高
器件雪崩耐冲击弱
器件缺货交期不稳定
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产品优势
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TO-3P封装散热更强
低Rds(on)，发热更低
大雪崩能量，抗冲击
KIA原厂现货，RoHS合规
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推荐使用场景
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UPS逆变电源
大功率DC-DC变换器
工业电机驱动
大功率SMPS开关电源
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