KNH9120A TO-3P 200V N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
国产 KIA KNH9120A 大功率 MOS 管，低内阻低发热，稳定替代进口型号
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KNH9120A规格书
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KNH9120A（TO-3P封装）产品基础信息
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产品型号
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KNH9120A
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封装
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TO-3P
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品牌
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KIA
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产品类型
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N沟道MOSFET
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额定耐压VDSS
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200V
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连续漏极电流ID
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40A
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KNH9120A（TO-3P封装）核心特性 Features
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工艺
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全新平面工艺
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RDS(ON)
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典型50mΩ@VGS=10V
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栅极电荷
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低Qg，降低开关损耗
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体二极管
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快恢复体二极管
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KNH9120A（TO-3P封装）应用场景 Application
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适用电路
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DC-DC转换器
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适用电路
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UPS直流转交流逆变器
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适用电路
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开关电源SMPS、电机控制
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KNH9120A（TO-3P封装）引脚定义 Pin configuration
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Pin1
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Gate 栅极G
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Pin2
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Drain 漏极D
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Pin3
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Source 源极S
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KNH9120A（TO-3P封装）最大绝对额定值(25℃)
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VDSS 漏源电压
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200V
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VGSS 栅源电压
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±20V
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ID连续漏极电流
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40A
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EAS单脉冲雪崩能量
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1200mJ
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dv/dt 二极管恢复速率
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5V/ns
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PD功耗
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150W
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降额系数>25℃
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1.2W/℃
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TL焊接温度
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260℃(10s)
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TSTG存储温度
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-55~+150℃
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KNH9120A（TO-3P封装）热特性 Thermal Characteristics
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RθJC结到壳热阻
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0.83℃/W
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RθJA结到环境热阻
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62℃/W
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KNH9120A（TO-3P封装）电气参数(25℃)
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BVDSS击穿电压
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200V@ID=250μA
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IDSS漏源漏电流
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最大1μA@VDS=200V
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VGS(TH)栅极阈值电压
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2~4V
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RDS(ON)导通电阻
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50mΩ典型/65mΩ最大
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GFS正向跨导
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65S@VDS=15V,ID=20A
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CISS输入电容
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典型2800pF
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COSS输出电容
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典型305pF
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CRSS反向传输电容
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典型110pF
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td(ON)开通延迟
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20ns
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tr上升时间
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30ns
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td(OFF)关断延迟
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65ns
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tf下降时间
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25ns
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QG总栅电荷
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97nC
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QGS栅源电荷
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14nC
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QGD栅漏电荷
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39nC
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VSD体二极管正向压降
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最大1.5V@Is=40A
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ISM脉冲源漏电流
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160A
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trr反向恢复时间
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280ns
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Qrr反向恢复电荷
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420μC
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KNH9120A（TO-3P封装）平替替代型号清单
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替代型号
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FQA40N20
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IRF40N20
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STW40N20
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40N20 TO-3P
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KNP9120A(TO220同芯片)
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NCE40N20
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KNH9120A（TO-3P封装）产品营销卖点
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客户痛点解决
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低内阻，器件发热更小，降低过热损坏风险
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客户痛点解决
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低栅电荷，开关损耗低，电源转换效率更高
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客户痛点解决
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快恢复体二极管，减少反向恢复损耗
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供货优势
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KIA原厂货源稳定，支持样品测试与批量采购
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替代优势
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可直接替代进口40A200V TO3P mos管，交期短
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