深圳市可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

cn en

新闻中心

16N50现货供应商-KIA16N50 16A/500V PDF下载 16N50参数资料-KIA官网

信息来源:本站 日期:2018-02-15 

分享到:


KIA16N50参数指标

这种功率MOSFET是使用起亚先进的平面条纹DMOS技术生产的。这种先进的技术经过特别定制,可最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合于高效率开关模式电源、基于半桥拓扑



特征

RDS (on) = 0.32Ω@ VGS = 10V

低栅极电荷(典型45nC )

快速切换能力

雪崩能量

改进的数字电视/数字电视能力


参数

产品型号:KIA16N50

工作方式:16A/500V

漏源电压:500V

栅源电压:±30V

漏电流连续:16A

脉冲漏极电流:64A

雪崩能量:853mJ

耗散功率:38.5W

热电阻:62.5℃/W

漏源击穿电压:500V

温度系数:0.6V/℃

栅极阈值电压:3.0V

输入电容:2200PF

输出电容:350PF

上升时间:170 ns

封装形式:TO-247、TO-220F、TO-3P



KIA16N50/HF/HH/HM
产品编号 KIA16N50(16A 500V
FET极性 N沟道MOSFET
产品工艺 功率MOSFET是使用起亚先进的平面条纹DMOS技术生产的。这种先进的技术经过特别定制,可最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。
产品特征

RDS (on) = 0.32Ω@ VGS = 10V

低栅极电荷(典型45nC )

快速切换能力

雪崩能量

改进的数字电视/数字电视能力

适用范围 主要适用于高效率开关模式电源、基于半桥拓扑
封装形式

TO-220F、TO-3P、TO-247

PDF文件 【直接在线预览】
LOGO
厂家 KIA原厂家
网址 www.kiaic.com
PDF页总数 总6页

联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8029

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


关注KIA半导体工程专辑请搜微信号:“KIA半导体”或点击本文下方图片扫一扫进入官方微信“关注”。


长按二维码识别关注