KIA16N50参数指标

这种功率MOSFET是使用起亚先进的平面条纹DMOS技术生产的。这种先进的技术经过特别定制，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合于高效率开关模式电源、基于半桥拓扑。

特征

RDS (on) = 0.32Ω@ VGS = 10V

低栅极电荷(典型45nC )

快速切换能力

雪崩能量

改进的数字电视/数字电视能力

参数

产品型号：KIA16N50

工作方式：16A/500V

漏源电压：500V

栅源电压：±30V

漏电流连续：16A

脉冲漏极电流：64A

雪崩能量：853mJ

耗散功率：38.5W

热电阻：62.5℃/W

漏源击穿电压：500V

温度系数：0.6V/℃

栅极阈值电压：3.0V

输入电容：2200PF

输出电容：350PF

上升时间：170 ns

封装形式：TO-247、TO-220F、TO-3P

	KIA16N50/HF/HH/HM
产品编号	KIA16N50（16A 500V）
FET极性	N沟道MOSFET
产品工艺	功率MOSFET是使用起亚先进的平面条纹DMOS技术生产的。这种先进的技术经过特别定制，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。
产品特征	RDS (on) = 0.32Ω@ VGS = 10V 低栅极电荷(典型45nC ) 快速切换能力雪崩能量改进的数字电视/数字电视能力
适用范围	主要适用于高效率开关模式电源、基于半桥拓扑
封装形式	TO-220F、TO-3P、TO-247
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	www.kiaic.com
PDF页总数	总6页