KIA5N50SD TO-252 500V5A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
500V 高压贴片 mos 管 雪崩耐量高 适配开关电源
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KIA5N50SD规格书
KIA5N50SD 参数详情
KIA5N50SD TO-252 N沟道mos管 产品详情
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产品型号
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KIA5N50SD
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封装形式
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TO-252
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管子类型
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N沟道mos管
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品牌
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KIA可易亚半导体
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耐压VDS
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500V
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持续电流ID
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5A
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最大功耗PD
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44.6W
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导通内阻RDS(on)
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1.38Ω@VGS=10V
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KIA5N50SD （TO-252封装）参数明细
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符号
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参数值
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单位
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漏源击穿电压
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VDSS
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500
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V
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栅源最大电压
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VGSS
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±30
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V
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连续漏极电流
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ID
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5
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A
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脉冲漏极电流
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IDM
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15
|
A
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单脉冲雪崩能量
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EAS
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80
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mJ
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25℃以上降额系数
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PD
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0.36
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W/℃
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最高焊接温度
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TL
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260
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℃
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工作存储温度
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TJ&TSTG
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-55 ~ 150
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℃
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结壳热阻
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RθJC
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2.8
|
℃/W
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结到环境热阻
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RθJA
|
120
|
℃/W
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KIA5N50SD （TO-252封装）参数名称
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参数名称
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符号
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测试条件
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典型值/最大值
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漏源击穿电压
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BV_DSS
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VGS=0V,ID=250uA
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500V
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漏源漏电流
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IDSS
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VDS=500V,VGS=0V
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≤1uA
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栅源漏电流
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IGSS
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VGS=±30V,VDS=0V
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≤±100nA
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导通电阻
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RDS(on)
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VGS=10V,ID=2.5A
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1.38Ω(典型)/1.55Ω(最大)
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栅阈值电压
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VGS(TH)
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VDS=30V,ID=250uA
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3.5V(典型)/4.5V(最大)
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正向跨导
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gfs
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VDS=30V,ID=13A
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15S
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参数名称
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符号
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测试条件
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典型值
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输入电容
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Ciss
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VDS=0/25V,1MHz
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525pF
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反向传输电容
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Crss
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4pF
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输出电容
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Coss
|
50pF
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总栅电荷
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Qg
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VDD=400V,ID=5A,VGS=10V
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12nC
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栅源电荷
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Qgs
|
2nC
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栅漏米勒电荷
|
Qgd
|
6nC
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开通延迟时间
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td(on)
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VDD=250V,ID=5A,RG=25Ω
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14nS
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上升时间
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trise
|
14.5nS
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关断延迟时间
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td(OFF)
|
29nS
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下降时间
|
tfall
|
12nS
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源极正向电压
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VSD
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IS=2A,VGS=0V
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≤1.5V
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反向恢复时间
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trr
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IS=2A,diF/dt=100A/μs
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213ns
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KIA5N50SD （TO-252封装）替代清单
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平替替代型号清单
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5N50 FQD5N50 KIA5N50H SPP05N50C3 STN5N50K3 AOD5N50
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KIA5N50SD （TO-252封装）产品介绍
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客户痛点
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高压开关管发热大、损耗高、易雪崩炸管；贴片料交期不稳，替换难匹配
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核心卖点
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1.耐压稳定，雪崩能量充足，抗冲击强；
2.内置快恢复二极管，适合桥电路；
3.TO-252贴片封装，适配SMT产线；
4.原厂稳定供货，直接兼容替换
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应用领域
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SMPS开关电源、LED驱动、充电器、适配器、高压小家电电路
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使用场景
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快充电源、小功率工业电源、LED照明驱动、电源板维修替换
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联系方式：邹先生
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手机：18123972950（微信同号）
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