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KIA18N20 N沟道 MOSFET 18A /200V TO-220、TO-220F封装最新规格

信息来源:本站 日期:2018-02-08 

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KIA18N20参数指标

RDS(ON)=0.12Ω (Max.) @VGS=10V

通过无铅认证

低电阻

低栅极电荷

峰值电流与脉宽曲线

应用

电视/显示器

其他应用


KIA18N20参数

产品型号:KIA18N20

工作方式:18A/200V

漏源电压:200V

栅源电压:±30V

漏电流连续:18A

脉冲漏极电流:6A

雪崩电流:8A

雪崩能量:950mJ

耗散功率:156W

热电阻:62.5℃/W

漏源击穿电压:200V

温度系数:0.25V/℃

栅极阈值电压:2.0V

输入电容:1140PF

输出电容:80PF

上升时间:33 ns

封装形式:TO-220、TO-220F



KIA18N20/AF/AP
产品编 KIA18N20(18A200V)
FET极性 N沟道MOSFET
产品特征

RDS(ON)=0.12Ω (Max.) @VGS=10V

通过无铅认证

低电阻

低栅极电荷

峰值电流与脉宽曲线

适用范围

主要适用于电视/显示器、其他应用

封装形式 TO-220、TO-220F
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LOGO
厂家 KIA原厂家
网址 www.kiaic.com
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联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

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联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


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