KIA18N20参数指标
RDS(ON)=0.12Ω (Max.) @VGS=10V
通过无铅认证
低电阻
低栅极电荷
峰值电流与脉宽曲线
应用
电视/显示器
其他应用
KIA18N20参数
产品型号：KIA18N20
工作方式：18A/200V
漏源电压：200V
栅源电压：±30V
漏电流连续：18A
脉冲漏极电流：6A
雪崩电流：8A
雪崩能量：950mJ
耗散功率：156W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：200V
温度系数：0.25V/℃
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：1140PF
输出电容：80PF
上升时间：33 ns
封装形式：TO-220、TO-220F
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KIA18N20/AF/AP
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产品编号
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KIA18N20（18A200V）
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FET极性
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N沟道MOSFET
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产品特征
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RDS(ON)=0.12Ω (Max.) @VGS=10V
通过无铅认证
低电阻
低栅极电荷
峰值电流与脉宽曲线
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适用范围
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主要适用于电视/显示器、其他应用
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封装形式
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TO-220、TO-220F
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PDF文件
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 【直接在线预览】
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LOGO
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厂家
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KIA原厂家
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网址
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www.kiaic.com
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PDF页总数
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总6页
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联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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