KND7N65B TO-252 650V7A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
高压贴片 MOS，低内阻快开关，雪崩全检，7N65 国产平替可送样
KND7N65B，TO252 高压 mos管，650V7A 贴片 MOS管，N 沟道 MOS，
7N65B 平替，开关电源 MOS管，KIA-MOS管
KND7N65B规格书
KND7N65B MOS管产品详情
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一、KND7N65B（TO-252封装）产品基础信息（KND7N65B MOS管）
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产品型号
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KND7N65B
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产品类型
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N沟道增强型MOS管
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封装规格
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TO?252贴片封装
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品牌
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KIA可易亚半导体
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生产工艺
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平面Planar高压工艺
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二、KND7N65B（TO-252封装）绝对最大额定参数(Tc=25℃)
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漏源电压VDSS
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650V
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连续漏极电流ID(25℃)
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7A
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脉冲漏极电流IDM
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28A
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栅源电压VGS
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±30V
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单脉冲雪崩能量EAS
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550mJ
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最大耗散功率PD
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126W
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结温与存储温度
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-55℃~+150℃
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三、KND7N65B（TO-252封装）关键电气特性(Tj=25℃)
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漏源击穿电压BVDSS
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最小值650V
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栅极阈值电压VGS(TH)
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2.0~4.0V
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RDS(on)@VGS=10V
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典型1.2Ω 最大1.4Ω
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总栅极电荷Qg
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典型18nC
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输入电容CISS
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典型1100pF
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输出电容COSS
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典型80pF
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反向传输电容CRSS
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典型9pF
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开通延迟时间td(on)
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典型10ns
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关断延迟时间td(off)
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典型16ns
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上升时间tr
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典型10ns
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下降时间tf
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典型9ns
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四、KND7N65B（TO-252封装）产品特性优势
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1
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平面高压工艺，导通电阻低，导通损耗小
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2
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栅电荷小，开关速度快，开关损耗更低
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3
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内置快恢复体二极管，抗浪涌冲击强
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4
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100%雪崩全检，dv/dt耐受高，稳定性强
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5
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TO?252贴片，节省PCB空间，适合SMT量产
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五、KND7N65B（TO-252封装）主流应用场景
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电源类
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开关电源、适配器、充电器、待机电源
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照明类
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高压LED驱动、小功率PFC电源电路
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六、KND7N65B（TO-252封装）平替替代型号清单
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可直接平替型号
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7N65B
FQD7N65
STD7N65
IPA7N65
KNF7N65B
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七、KND7N65B（TO-252封装）官网营销推广文案
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产品标题
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KND7N65B TO?252 650V7A N沟道MOS管｜KIA?MOS管
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核心卖点
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平面高压MOS，低Rds(on)、低栅电荷，开关速度快
，100%雪崩检测，带快恢复二极管，TO?252贴片
，适配小功率开关电源，可平替7N65系列，原厂现货可免费拿样。
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采购优势
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KIA原厂直供无中间商；支持样品申请、丝印定制
；高压贴片MOS全系列齐全，长期稳定供货，满足整机RoHS出口认证。
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座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
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