KNF10N65B TO-220F 650V10A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
低内阻低 Qg，高压抗雪崩，电源方案稳定替代进口
KNF10N65B,10N65,650V10A mos管，TO-220F mos管，N 沟道高压 mos管，
电源 mos管，10N65 平替，KIA mos管
KNF10N65B规格书
|
一、KNF10N65B（TO-220F封装）产品基础信息 KNF6180B（TO-220F）
|
|
产品型号
|
KNF6180B（N沟道mos管）
|
|
封装形式
|
TO-220F 直插塑封
|
|
产品类型
|
N沟道增强型功率mos管
|
|
生产工艺
|
F-Cell高压平面VDMOS技术
|
|
适用场景
|
AC-DC电源、DC-DC转换器、PWM电机驱动
|
|
二、KNF10N65B（TO-220F封装）核心电气参数（Tc=25℃）
|
|
漏源电压 VDSS
|
800V
|
|
连续漏极电流 ID
|
10A（Tc=25℃）；6.32A（Tc=100℃）
|
|
栅源电压 VGSS
|
±30V
|
|
脉冲漏极电流 IDM
|
40A
|
|
最大功耗 PD
|
62W，降额系数0.5W/℃
|
|
导通电阻 Rds(on)
|
0.87Ω@VGS=10V
|
|
栅极阈值电压 Vgs(th)
|
2V～4V
|
|
总栅极电荷 Qg
|
32nC@10V
|
|
输入电容 Ciss
|
1625pF
|
|
反向传输电容 Crss
|
6.4pF
|
|
输出电容 Coss
|
152pF
|
|
开通延迟时间
|
28ns
|
|
关断延迟时间
|
90ns
|
|
上升时间
|
42ns
|
|
下降时间
|
75ns
|
|
单脉冲雪崩能量 EAS
|
938mJ
|
|
工作结温范围
|
-55℃～+150℃
|
|
三、KNF10N65B（TO-220F封装）产品介绍
|
|
产品卖点
|
1.低导通电阻，整机功耗更低，发热更小
2.低栅极电荷、低Crss，开关速度快
3.优异dv/dt抗干扰，可承受高能雪崩脉冲
4.TO-220F绝缘封装，安规更安全
5.国产原厂现货，交期稳定，可直接替代进口管
|
|
主打优势
|
800V/10A高压大电流，电源开关专用mos管；替代进口10N80系列，性价比突出，长期供货稳定，支持批量试样。
|
|
推荐应用
|
开关电源、充电器、逆变器、LED驱动、工业电源、直流电机驱动电路。
|
|
四、KNF10N65B（TO-220F封装）平替替代型号清单
|
|
可直接代换型号
|
STF10N80K5
SVF10N80F
KS10N80FS
FQN10N80C
10N80TO-220F
FS10SM-16A
|
|
参数升级替代款
|
KNF6190B（800V/12A）
KNF7N80F（800V/7A）
KNF8N80F（800V/8A）
|
|
备注说明
|
所有替代型号均为TO-220F封装，800V耐压，可直接引脚互换，无需改PCB。
|
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
