KIA41100A TO-252 1000V2A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
低栅极电荷 快恢复体二极管 高压电源适配 mos 管
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高压 mos管，充电器 mos管，开关电源 mos管，可易亚 KIA MOS管
KND41100A规格书
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一、KND41100A（TO-252封装）产品基础信息
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产品型号
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KND41100A（N沟道MOS管）
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封装形式
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TO-252（贴片DPAK）
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品牌
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KIA可易亚半导体
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核心规格
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1000V/2A，内置快恢复体二极管
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导通电阻Rds(on)
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典型值9.6Ω，最大值≤12Ω@VGS=10V
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产品特性
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低栅极电荷、开关损耗低、抗雪崩能力强
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主流应用场景
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开关电源、适配器、充电器、小功率高压电源
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二、KND41100A（TO-252封装）完整电气参数（Tc=25℃）
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漏源电压VDSS
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1000V
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栅源电压VGSS
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±30V
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连续漏极电流ID
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2.0A
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脉冲漏极电流IDM
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8.0A
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最大功耗PD
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60W
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单脉冲雪崩能量EAS
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80mJ
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栅极阈值电压VGS(th)
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2V~4V
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总栅极电荷Qg
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15nC@VGS=10V
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输入电容Ciss
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370pF
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反向传输电容Crss
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4pF
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开通延迟时间
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8ns
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关断延迟时间
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36ns
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工作温度范围
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-55℃~+150℃
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三、KND41100A（TO-252封装）平替替代型号清单
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原装进口平替型号
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IXFP4N100
2SK1119
FQD2N100TM
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国产兼容替代型号
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KNF41100A（同系列直换）
KNP41100A（同引脚兼容）
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替代说明
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引脚完全兼容，无需改板，直接贴片替换
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四、KND41100A（TO-252封装）官网产品介绍
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产品卖点标题
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KND41100A TO-252高压MOS管，1000V2A稳定耐用
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核心优势
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1.低导通内阻，发热更低，长期工作温升小
2.低栅极电荷，开关速度快，电源效率更高
3.内置快恢复二极管，反向耐压强，抗浪涌
4.国产原厂现货，交期稳定，成本优于进口料
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采购保障
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原厂直供、可免费提供样品测试，支持批量订货
符合RoHS环保标准，无铅无卤，满足出口要求
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选型推荐
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小功率高压开关电源、充电器、适配器首选型号
可直接替代IXFP4N100、2SK1119等进口MOS管
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座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
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