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KCD2504A TO-252 40V180A N 沟道 MOS管|KIA-MOS管

信息来源:本站 日期:2026-11-05 

KCD2504A TO-252 40V180A N 沟道 MOS管|KIA-MOS管

低内阻快开关 SGT 工艺,电源方案优选 mos 管

KCD2504A

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TO-252 N 沟道 MOS管,SGT 功率 mos管,

低内阻 mos管,锂电保护 mos管,电源开关 mos管

KCD2504A规格书

KCD2504A规格书

KCD2504A(To-252封装)产品型号
KCD2504A
KCD2504A(To-252封装)产品简述
N沟道快开关功率mos管,SGT工艺,40V/180A,TO-252封装
KCD2504A(To-252封装)核心特点
先进SGT工艺
Rds(on)典型1.8mΩ@VGS=10V
极低栅极电荷
支持绿色环保器件
优异CdV/dt抑制能力
KCD2504A(To-252封装)引脚定义
1:Gate(栅极)
2:Drain(漏极)
3:Source(源极)
KCD2504A(To-252封装)订购信息
型号:KCD2504A
封装:TO-252
品牌:KIA
KCD2504A(To-252封装)最大额定参数
VDS:40V
VGS:±20V
ID@Tc25℃:180A
ID@Tc100℃:114A
IDM脉冲:720A
PD@Tc25℃:136.4W
EAS雪崩能量:400mJ
结温/存储温度:-55~150℃
KCD2504A(To-252封装)热学参数
RθJC(结到壳热阻):1.1℃/W Max
KCD2504A(To-252封装)电气特性(25℃)
BVdss:≥40V
IDSS:≤1uA
IGSS:±100nA
VGS(th):1.0~2.5V,典型1.5V
Rds(on)@10V/30A:1.8~2.2mΩ
Rds(on)@4.5V/20A:2.3~3.0mΩ
Rg:典型2.0Ω
Ciss:3250pF,Coss:1562pF,Crss:62pF
td(on):17ns tr:9ns td(off):58ns tf:30ns
Qg总栅电荷:63nC,Qgs:8.5nC,Qgd:10nC
ISD体二极管电流:180A
VSD:≤1.2V@30A
trr反向恢复时间:53ns,Qrr:70nC
KCD2504A(To-252封装)典型应用场景
DC-DC转换器、锂电保护板、电机驱动
同步降压电源、快充、车载电源、BMS

平替替代型号清单

KCD2504A

AOD4184
AOD4185
NCE4018K
IRL540N
SM4018
KCD2504A(To-252封装)产品说明

KCD2504A采用SGT沟槽工艺,

超低导通电阻,栅电荷低,开

关速度快,CdV/dt抗干扰优秀。

TO-252贴片封装散热优良,

适合大电流高频电源方案,

货源稳定,支持批量供货与样品申请。

座机:0755-83888366-8022

手机:18123972950(微信同号)

QQ:2880195519(技术群,也可以加这个qq)

联系地址:深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902

KCD2504A

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