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28N50现货供应商 KIA28N50-28A500V PDF文件 4360参数详细资料-KIA官网

信息来源:本站 日期:2018-02-09 

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KIA28N50参数指标

这是功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS工艺生产的起亚。这种先进的技术已特别定制,以尽量减少的阻力,提供优越的开关性能,在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲。这些设备非常适合于高效率开关电源,有源功率因数校正的基础上半桥拓扑。


KIA28N50特征

RDS(ON)= 0.17Ω@ VGS = 10v

低栅极电荷(典型的102nc)

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt/dt能力


KIA28N50参数

产品型号:KIA28N50

工作方式:28A/500V

漏源电压:500V

栅源电压:±30V

漏电流连续:28A

脉冲漏极电流:112A

雪崩能量:1960mJ

耗散功率:479W

热电阻:62.5℃/W

漏源击穿电压:500V

栅极阈值电压:2.0V

输入电容:4085 PF

输出电容:474 PF

上升时间:87ns

封装形式:TO-3P



KIA28N50
产品编号 KIA28N50(28A500V)
FET极性 N沟道MOSFET
产品工艺 功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS工艺生产的起亚。这种先进的技术已特别定制,以尽量减少的阻力,提供优越的开关性能,在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲。
产品特征

RDS(ON)= 0.17Ω@ VGS = 10v

低栅极电荷(典型的102nc)

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt/dt能力

适用范围 主要适用于高效率开关电源,有源功率因数校正的基础上半桥拓扑
封装形式 TO-3P
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厂家 KIA原厂家
网址 www.kiaic.com
PDF总页数 总5页


联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

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