KIA8150参数指标
特征
先进的平面工艺
RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10V
低门负责减少开关损耗
坚固的多晶硅栅结构
应用
无刷直流电机驱动
电焊机
高效开关电源
参数
产品型号：KIA8150
工作方式：30A/500V
漏源电压：500V
栅源电压：±30V
漏电流连续：30A
脉冲漏极电流：18A
雪崩能量：120A
耗散功率：333W
热电阻：50℃/W
漏源击穿电压：500V
栅极阈值电压：2.5V
输入电容：4150 PF
输出电容：500 PF
上升时间：114ns
封装形式：TO-3P
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KNH8150
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产品编号
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KNF8150（30A 500V）
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FET极性
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N沟道MOSFET
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产品特征
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先进的平面工艺
RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10V
低门负责减少开关损耗
坚固的多晶硅栅结构
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适用范围
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主要适用于无刷直流电机驱动、电焊机、高效开关电源
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封装形式
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TO-3P
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PDF文件
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 【直接在线预览】
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LOGO
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厂家
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KIA原厂家
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网址
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www.kiaic.com
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PDF页总数
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总8页
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联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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