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8150原厂MOS管-KNF8150 30A/500V-KNF8150 PDF文件-KIA官网

信息来源:本站 日期:2018-02-15 

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KIA8150参数指标

特征

进的平面工艺

RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10V

低门负责减少开关损耗

坚固的多晶硅栅结构


应用

无刷直流电机驱动

电焊机

高效开关电源


参数

产品型号:KIA8150

工作方式:30A/500V

漏源电压:500V

栅源电压:±30V

漏电流连续:30A

脉冲漏极电流:18A

雪崩能量:120A

耗散功率:333W

热电阻:50℃/W

漏源击穿电压:500V

栅极阈值电压:2.5V

输入电容:4150 PF

输出电容:500 PF

上升时间:114ns

封装形式:TO-3P



KNH8150
产品编号 KNF8150(30A 500V
FET极性 N沟道MOSFET
产品特征

先进的平面工艺

RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10V

低门负责减少开关损耗

坚固的多晶硅栅结构

适用范围

主要适用于无刷直流电机驱动、电焊机、高效开关电源

封装形式 TO-3P
PDF文件 【直接在线预览】
LOGO
厂家 KIA原厂家
网址 www.kiaic.com
PDF页总数 总8页

联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


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