KIA4820参数指标

KIA4820增强型硅栅功率MOSFET的高电压设计，高速功率开关应用，如高效率开关电源，有源基于半桥拓扑结构的功率因数校正电子镇流器。

2、特征

专有的新平面技术

RDS（ON），典型值= 250mΩ@ VGS = 10v

低门电荷减少开关损耗

快速恢复体二极管

3、参数指标

产品型号：KIA4820

工作方式：9A/200V

漏源电压：200V

栅源电压：±20V

漏电流连续：9A

脉冲漏极电流：36A

雪崩能量：300m

耗散功率：83W

热电阻：75℃/W

漏源击穿电压：200V

栅极阈值电压：1.0V

输入电容：418 PF

输出电容：94 PF

上升时间：6.0 ns

封装形式：TO-220、TO-252

	KIA4820
产品编号	KIA4820（9A 200V）
产品工艺	KIA4820b增强型硅栅功率MOSFET的高电压设计，高速功率开关应用，如高效率开关电源，有源基于半桥拓扑结构的功率因数校正电子镇流器
产品特征	专有的新平面技术 RDS（ON），典型值= 250mΩ@ VGS = 10v 低门电荷减少开关损耗快速恢复体二极管
适用范围	主要适用于高速功率开关应用，如高效率开关电源，有源基于半桥拓扑结构的功率因数校正电子镇流器
封装形式	TO-220、TO-252
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	www.kiaic.com
PDF总页数	总8数