深圳市可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

cn en

新闻中心

KND4820B现货供应商 KND4820B PDF文件下载 9A 200V参数资料-KIA 官网

信息来源:本站 日期:2018-03-08 

分享到:

KND4820B参数

1、应用

KND4820B通道增强型硅栅功率MOSFET的高电压设计,高速功率开关应用,如高效率开关电源,有源基于半桥拓扑结构的功率因数校正电子镇流器。


2、特征

专有的新平面技术

RDS(ON),典型值= 250mΩ@ VGS = 10v

低门电荷最小化开关损耗

快速恢复体二极管


3、产品参数

产品型号:KND4820B

工作方式:9A/200V

漏源电压:200V

栅源电压:±20V

漏电流连续:9.0A

脉冲漏极电流:36A

雪崩能量:300mJ

耗散功率:83V

热电阻:75℃/W

漏源击穿电压:200V

栅极阈值电压:1.0V

输入电容:418PF

输出电容:94PF

上升时间:6.0ns

封装形式:TO-251、TO-252


4、产品规格


KND4820B
产品编号 KND4820B 9A/200V
产品特征

专有的新平面技术

RDS(ON),典型值= 250mΩ@ VGS = 10v

低门电荷最小化开关损耗

快速恢复体二极管

适用范围

高速功率开关应用,如高效率开关电源,有源基于半桥拓扑结构的功率因数校正电子镇流器。

封装形式 TO-251、TO-252
PDF文件 【直接在线预览】
LOGO
厂家 KIA原厂家
网址 www.kiaic.com
PDF总页数 总8页



联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1

联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


关注KIA半导体工程专辑请搜微信号:“KIA半导体”或点击本文下方图片扫一扫进入官方微信“关注”。

关注「KIA半导体」,做优秀工程师!


长按二维码识别关注

阅读原文可一键关注+技术总汇