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4660A mos管现货供应商 KIA4660A 7.5A/600V PDF文件下载-KIA 官网

信息来源:本站 日期:2018-03-16 

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1、KIA4660A产品描述

KIA4660A是功率MOSFET采用起亚`平面条形DMOS工艺生产的先进。这先进的技术已特别定制,以尽量减少对国家的阻力,提供优越的。开关性能,在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适用于高效率开关电源,有源功率因数校正。基于半桥拓扑。


2、KIA4660A产品特征

RDS(on) =1.0?(典型值) @ VGS =10V

超低栅极电荷(典型的27nc)

低反向转移电容

快速切换的能力

雪崩能量测试

改进的dv / dt的能力,高耐用性


3、KIA4660A产品参数

产品型号:KIA4660A

工作方式:7.5A/600V

漏源电压:600V

栅源电压:±30A

漏电流连续:7.5A

脉冲漏极电流:28A

雪崩能量:215mJ

耗散功率:1.1W/℃

热电阻:62.5℃/W

漏源击穿电压:600V

温度系数:0.6V/℃

栅极阈值电压:2.0V

输入电容:900PF

输出电容:100PF

上升时间:45ns

封装形式:TO-263


4、KIA4660A产品规格


KIA4660A
产品编号 KIA4660A 7.5A/600V
产品描述 KIA4660A是功率MOSFET采用起亚`平面条形DMOS工艺生产的先进。这先进的技术已特别定制,以尽量减少对国家的阻力,提供优越的。开关性能,在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适用于高效率开关电源,有源功率因数校正。基于半桥拓扑。
产品特征

RDS(on) =1.0?(典型值) @ VGS =10V

超低栅极电荷(典型的27nc)

低反向转移电容

快速切换的能力

雪崩能量测试

改进的dv / dt的能力,高耐用性

封装形式 TO-263
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LOGO
厂家 KIA原厂家
网址 www.kiaic.com
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联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

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