1、KIA4N60产品描述
KIA4N60HN沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压，高速功率开关应用，如开关稳压器，开关变换器，螺线管，电机驱动器，继电器驱动程序
2、KIA4N60特征
RDS（ON）= 2.3Ω@ VGS = 10v
低栅极电荷（典型的13.5nc）
高耐用性
快速切换的能力
雪崩能量
改进的dt／dt能力
3、KIA4N60参数
产品型号：KIA4N60
工作方式：4A/600V
漏源电压：600V
栅源电压：±30A
漏电流连续：4.0A
脉冲漏极电流：16A
雪崩电流：9.3mJ
雪崩能量：180mJ
耗散功率：93W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：600V
温度系数：0.6V/℃
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：500PF
输出电容：45PF
上升时间：32ns
封装形式：TO-251、252、220、220F、262
|
KIA4N60
|
|
产品编号
|
KIA4N60 4A/600V
|
|
产品特征
|
RDS（ON）= 2.3Ω@ VGS = 10v
低栅极电荷（典型的13.5nc）
高耐用性
快速切换的能力
雪崩能量
改进的dt／dt能力
|
|
适用范围
|
适用功率开关应用，如开关稳压器，开关变换器，螺线管，电机驱动器，继电器驱动程序等
|
|
封装形式
|
TO-251、252、220、220F、262
|
|
PDF文件
|
 【直接在线预览】
|
|
LOGO
|
|
|
厂家
|
KIA原厂家
|
|
网址
|
www.kiaic.com
|
|
PDF页总数
|
总6页
|
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
关注KIA半导体工程专辑请搜微信号:“KIA半导体”或点击本文下方图片扫一扫进入官方微信“关注”。
长按二维码识别关注
