1、730产品描述
设计了KIA730HN沟道增强型硅栅功率MOSFET。高压、高速功率开关应用，如开关稳压器、开关转换器，螺线管，电机驱动器，继电器驱动器。
2、730产品特点
RDS＝0.83（Typ）@ VGS＝10V
低栅电荷（典型20NC）
雪崩能量指定
改进的DV/DT能力
3、730参数范围
产品型号：KIA730H
工作方式：6A/400V
漏源电压：400V
栅源电压：±30V
漏电流连续：6.0A
脉冲漏极电流：24A
雪崩电流：7.3mJ
雪崩能量：270mJ
耗散功率：42W
热电阻：62.5℃/V
漏源击穿电压：400V
温度系数：
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：520PF
输出电容：80PF
上升时间：60ns
封装形式：TO-220、200F、251、252
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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