PMOS晶体管
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，柵极上加有足够的正电压(源极接地)时，柵极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。
P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS电路工艺简单,价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。
PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。如图5所示的CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式，一般CMOS的电源电压选择在10～12V就能满足PMOS对输入电平的要求。
PMOS导通条件
P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为2.8V，G为1.8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为2.8V
如果S为2.8V，G为2.8V，VGSw
那么mos管不导通，D为0V，
所以，如果2.8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。
那么和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。
如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V，那么GPIO高电平的时候为1.8V，GS为1.8-2.8=-1V，mos管导通，不能够关断。
GPIO为低电平的时候，假如0.1V，那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。
当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为5V，G为4V，那么GS=-1V，mos管导通，D为5V
PMOS管型号选型
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Part Numbe
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ID（A)
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VDSS（V)
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RDS（ON）（Ω）
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KIA23P10A
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-23
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-100
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0.95
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KIA35P10A
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-35
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-100
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0.055
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KPD8610A
|
-35
|
-100
|
0.055
|
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KIA2301
|
-2.8
|
-20
|
0.12
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KIA2305
|
-3.5
|
-20
|
0.055
|
|
KIA3401
|
-4
|
-30
|
0.06
|
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KIA3407
|
-4.1
|
-30
|
0.06
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|
KIA3409
|
-2.6
|
-30
|
0.13
|
|
KIA3415
|
-4
|
-16
|
0.045
|
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KIA3423
|
-2
|
-20
|
0.092
|
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KIA4953
|
-5.3
|
-30
|
0.063
|
|
KIA9435
|
-5.3
|
-30
|
0.06
|
|
KIA7P03A
|
-7.5
|
-30
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0.018
|
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KIA4435
|
-10.5
|
-30
|
0.018
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联系方式：邹先生（mos管原厂家）
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