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KPX8610A厂家直销 8610A -35A/-100V PDF中文资料文件-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2018-06-01 

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1.KPX8610Cmos管特征

RDS (on) = 42m VGS=10V

100%EAS保证

兼容RoHS

超低门电荷

Cdv/dt效应下降

先进的高密度槽道技术

KPX8610A

2.KPX8610Cmos管描述

该KPX8610C采用先进的沟道MOSFET技术,提供优良的R DS(ON)和其他应用范围

KPX8610C可满足RoHS和Green的需求,适用于许多其它应用。

KPX8610C产品要求:100%EAS保证,功能可靠。


3.KPX8610C参数范围

产品型号:KPX8610C

工作方式:-35A/-100V

漏源电压:-1000V

栅源电压:±20A

漏电流连续:-35A

脉冲漏极电流:100A

雪崩能量:345mJ

耗散功率:104W

热电阻:62℃/V

漏源击穿电压:-1μA

栅极阈值电压:-1.0V

输入电容:4060PF

输出电容:120PF

上升时间:50ns

封装形式:TO-251、252


联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


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KPX8610A