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12N60场效应管参数-12N60C引脚图 12A 600V PDF文件-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2018-06-07 

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一、12N60H产品描述

N沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高压、高速功率开关应用而设计的,如高效率开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器等

12N60场效应管参数

12N60H PEF文件下载

二、12N60H产品特征

RDS(on)=0.53@VGS=10V

低栅电荷(典型的52nC)

快速交换能力

雪崩能量指定值

改进的dv/dt能力


三、12N60H引脚图

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G:gate 栅极S:source 源极D:drain 漏极

MOS管是金属(Metal)—氧化物(Oxid)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管。市面上常有的一般为N沟道和P沟道。N沟道的电源一般接在D,输出S,P沟道的电源一般接在S,输出D。



四、12N60H参数范围

产品型号:KIA12N60H

工作方式:12A/600V

漏源电压:600V

栅源电压:±30A

漏电流连续:12A

脉冲漏极电流:48A

雪崩能量:865mJ

耗散功率:231W

热电阻:62.5℃/V

漏源击穿电压:600V

温度系数:0.7V/℃

栅极阈值电压:2.0V

输入电容:1850PF

输出电容:180PF

上升时间:90ns

封装形式:TO-220、220F


五、12N60H电路图和波形

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