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MOS管工作原理视频-MOS管工作原理高清视频-在线观看-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2018-06-22 

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MOS管工作原理视频


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金属氧化物半导体场效应晶体管,有增强型跟耗尽型的区分,但是由于本人没见过耗尽型的mos管,所以直接忽略,需要可自行查阅这两者的区分。


MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。


MOS管工作原理视频参数

1.开启电压VT

开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;

备注:这是设计时候比较重要的值,一般开启电压是个范围,我们要尽量保证电压大于这个范围。(后续会推出一个实例)


2. 漏源击穿电压BVDS

在VGS=0(增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS

ID剧增的原因有下列两个方面:

(1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿

(2)漏源极间的穿通击穿

有些MOS管中,其沟道长度较短,不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通,穿通后,源区中的多数载流子,将直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的ID


3. 栅源击穿电压BVGS

在增加栅源电压过程中,使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS,称为栅源击穿电压BVGS。

备注:我们所加的Vgs不能大于 BVGS


4. 低频跨导gm

在VDS为某一固定数值的条件下 ,漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导

gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力


5. 导通电阻RON

导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ,是漏极特性某一点切线的斜率的倒数

在饱和区,ID几乎不随VDS改变,RON的数值很大,一般在几十千欧到几百千欧之间

由于在数字电路中 ,MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下,所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似

对一般的MOS管而言,RON的数值在几百欧以内

备注:此值在PWM开关管中尤为重要,会影响较多参数,一般mos管的发热也跟该参数有较大关系。


6. 极间电容

三个电极之间都存在着极间电容:栅源电容Cgs 、栅漏电容Cgd和漏源电容Cds


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