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75n75场效应管参数-75n75引脚图-75n75电路图-75N75PDF KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2018-06-27 

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1、KIA75N75产品描述

75N75是N沟道增强型功率场

状态特性稳定、快速的效应晶体管

开关速度,低热阻,常用于电信

和计算机应用。


2、KIA75N75产品特征

RDS(ON)=12.5m? @VGS=10V

超低栅电荷(典型的90纳米)

快速交换能力

指定雪崩能量

改进的dv/dt能力,坚固性高


3、KIA75N75参数范围

产品型号:KIA75N75

工作方式:75A/75V

漏源电压:75V

栅源电压:±20V

漏电流连续:75A

脉冲漏极电流:300A

雪崩能量:900mJ

耗散功率:220W

热电阻:62.5℃/V

漏源击穿电压:75V

温度系数:0.08/℃

栅极阈值电压:2.0V

输入电容:3300PF

输出电容:530PF

上升时间:79ns

封装形式:TO-251、252、220、220F


4、KIA75N75电路图

75n75场效应管参数


75n75场效应管参数

75n75场效应管参数

75n75场效应管参数


75n75场效应管参数
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